公开(公告)号：CN102686770A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201080050550.4

申请日：2010-11-10

申请人： 国际商业机器公司

发明人： M·J·布莱特韦斯 ,  C·H·拉姆 ,  B·拉简德兰 ,  S·劳克斯 ,  A·G·施罗特 ,  D·科雷布斯

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C7/04 ,  G11C13/0069 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

摘要： 一种相变存储器单元，包括：底部电极；顶部电极，与底部电极分开；以及生长主导型相变材料，沉积于底部电极和顶部电极之间并且接触底部电极和顶部电极并且在其侧壁处由绝缘材料包围。重置状态的相变存储器单元仅包括在相变存储器单元的有效体积内的生长主导型相变材料的非晶相。