公开(公告)号：CN115472755A

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202211178304.8

申请日：2022-09-26

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 李丽波 ,  曲文华 ,  折雨珀

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/46 ,  H01L51/42 ,  C01G3/02 ,  C01G53/04

Abstract: 一种以镍掺杂氧化亚铜为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池的制备方法，它涉及一种无电子传输层的钙钛矿太阳能电池的制备方法。本发明主要解决现有空穴材料成本过高以及叠层复杂的问题。本发明的方法如下：一、掺氟二氧化锡导电玻璃的清洗处理；二、在步骤一上制备钙钛矿薄膜；三、镍掺杂氧化亚铜的制备；四、在步骤二钙钛矿薄膜表面制备镍掺杂氧化亚铜薄膜作为空穴传输层；五、在步骤四镍掺杂氧化亚铜薄膜表面制备银电极层。本发明的方法制备的钙钛矿太阳能电池通过镍掺杂氧化亚铜薄膜和钙钛矿薄膜的结合配伍，省去电子传输层，尽可能最大的减少钙钛矿太阳能电池的制备成本。本发明应用于太阳能电池领域。

公开(公告)号：CN116234337A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310088685.9

申请日：2023-02-08

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 李丽波 ,  曲文华 ,  杨杭 ,  赵杨明悦

IPC: H10K30/88 ,  H10K30/10 ,  H10K30/50 ,  H10K85/30 ,  H10K85/60 ,  H10K71/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种邻苯二甲酸氢钾改性MAPbI3钙钛矿太阳能电池的制备方法，涉及一种增强钙钛矿太阳能电池稳定性和疏水性的方法。本发明主要解决现有MAPbI3钙钛矿材料热稳定性和疏水性差的问题。具体涉及到钙钛矿太阳能电池器件中对于钙钛矿吸收层的处理，该方法在常规制备的基础步骤之上，向钙钛矿的离子型晶体中引入邻苯二甲酸氢根阴离子，阴离子两端的C=O能够与未配位的Pb2+离子/卤化物空位之间发生强配位作用，阴离子中的OH‑能够与甲胺阳离子形成氢键，以上化学作用使阴离子紧紧锚定在晶界处，来提高钙钛矿太阳能电池的光电转换效率、稳定性以及疏水性。本发明应用于太阳能电池领域。