-
公开(公告)号:CN115065287A
公开(公告)日:2022-09-16
申请号:CN202210676439.0
申请日:2022-06-15
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种永磁同步电机的全速域无传感器控制方法,属于永磁同步电机控制技术领域。所述的方法及系统包括低速无传感器控制部分、中高速无传感器控制部分、非线性加权部分;为了电机的无传感器高控制精度并且稳定运行,首先在低速区间采用高频方波注入策略;其次,在中高速区间采用观测器方法;最后,在过渡区间对两种方法基于非线性系数加权的控制策略。本发明利用了非线性加权系数来提升无传感器控制策略在过渡区的稳定性;利用高频方波注入法来增强系统在低速区间无传感器观测能力;并利用观测器算法来提高系统在中高速区间的观测精度,相较于传统的线性切换策略,切换过程更加平稳。
-
公开(公告)号:CN114925543A
公开(公告)日:2022-08-19
申请号:CN202210637092.9
申请日:2022-06-07
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G06F30/20 , H02M1/12 , H02M1/44 , G06F111/04 , G06F111/06
Abstract: 本发明公开了一种控制电机逆变器共模电磁干扰滤波器优化设计方法,属于电磁兼容(EMC,Electromagneticcompatibility)领域。本发明针对现有技术不能准确设计共模电磁干扰滤波器参数及其拓扑结构的问题。本发明应用遗传算法设计滤波器,将滤波器的滤波电感、谐振频率、滤波电容、及最低插损值限制作为遗传算法中的染色体,电感、电容元件的个数决定染色体的长度,本发明通过遗传迭代过程中电容、电感元件对共模干扰抑制效果的影响程度改变染色体长度,从而实现同步元件参数和滤波器拓扑的优化设计,解决现代工业对电磁干扰滤波器选择的普遍性和经济型需求的问题。
-
公开(公告)号:CN114944747A
公开(公告)日:2022-08-26
申请号:CN202210641608.7
申请日:2022-06-08
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明属于电力电子器件技术领域,具体公开了一种新型的碳化硅MOSFET驱动电路,其特点在于:所述的碳化硅MOSFET驱动电路包含驱动电路和硬件死区电路。驱动电路由带有磁隔离装置的驱动拓扑结构以及去饱和检测电路构成;硬件死区电路通过RC滤波电路与逻辑门电路产生硬件死区,在程序出现错误时,通过硬件也能实现死区信号,提高了可靠性。本发明的驱动电路具有结构简单、体积较小、驱动安全、防止桥臂串扰、集成度高以及提高功率密度等优点,提高了工作效率,降低了损耗,具有较好的抗干扰性和可靠性。
-
-