公开(公告)号：CN101050119A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200710072252.5

申请日：2007-05-23

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王福平 ,  孙秋 ,  魏兆冬 ,  成海涛 ,  姜兆华

IPC: C04B35/624 ,  C04B35/472 ,  C04B35/48 ,  H01B3/12

Abstract: 一种高度(111)取向的锆钛酸铅薄膜的制备方法，是为了解决采用溶胶－凝胶法制备锆钛酸铅薄膜过程中存在制备方法复杂，可重复操作性差的问题。本发明中的一种高度(111)取向的锆钛酸铅薄膜的制备方法主要由PZT溶胶的制备、PZT薄膜的沉积、PZT薄膜的预晶化和PZT薄膜的晶化这四个步骤完成。本发明制备工艺简单，制备出的锆钛酸铅薄膜(PZT)为高度(111)取向，薄膜表面平整致密、厚度均匀、晶粒大小均匀，本发明制备出的高度(111)取向的锆钛酸铅铁电薄膜具有高的剩余极化值，剩余极化值为43～60μC/cm2，薄膜具有较小的矫顽场，矫顽场仅为60～75kV/cm；采用本发明制备出的锆钛酸铅反铁电薄膜的饱和极化值高。

公开(公告)号：CN100432018C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200710072252.5

申请日：2007-05-23

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王福平 ,  孙秋 ,  魏兆冬 ,  成海涛 ,  姜兆华

IPC: C04B35/624 ,  C04B35/472 ,  C04B35/48 ,  H01B3/12

Abstract: 一种高度(111)取向的锆钛酸铅薄膜的制备方法，是为了解决采用溶胶-凝胶法制备锆钛酸铅薄膜过程中存在制备方法复杂，可重复操作性差的问题。本发明中的一种高度(111)取向的锆钛酸铅薄膜的制备方法主要由PZT溶胶的制备、PZT薄膜的沉积、PZT薄膜的预晶化和PZT薄膜的晶化这四个步骤完成。本发明制备工艺简单，制备出的锆钛酸铅薄膜(PZT)为高度(111)取向，薄膜表面平整致密、厚度均匀、晶粒大小均匀，本发明制备出的高度(111)取向的锆钛酸铅铁电薄膜具有高的剩余极化值，剩余极化值为43～60μC/cm2，薄膜具有较小的矫顽场，矫顽场仅为60～75kV/cm；采用本发明制备出的锆钛酸铅反铁电薄膜的饱和极化值高。