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公开(公告)号：CN1664175A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200410044154.7
申请日：2004-12-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 晶体的可视小角度倾斜区熔生长装置及其生长方法，涉及一种晶体材料的生长装置及其生长方法。现有的生长装置及生长方法存在着结晶体成分沿生长方向不一致的弊端。本发明的生长装置在第二层石英管1－2内第一加热线圈4－1的外部设有第二加热线圈4－2，所述第三层石英管1－3同时与传动装置5连接。本发明的生长方法为，第一加热线圈4－1加热后构成基础温区，第二加热线圈4－2加热后构成高温区，原料与籽晶的接触处处于高温区至熔化后，传动装置5带动石英管及其内部的加热线圈向生长船内的“原料”一端移动，原料依次通过高温区熔化后定向凝固，得到晶体。用本发明装置及方法生长的晶体可以定向生长且晶体组成沿长生方向均匀一致，利于推广应用。
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公开(公告)号：CN1279200C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200510009614.7
申请日：2005-01-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C22C29/00
Abstract: IIB-IVA-VA2黄铜矿固溶体化合物，它涉及一种晶体材料，特别是一种黄铜矿化合物。现在生长的黄铜矿类半导体晶体材料的吸收带边都是固定不可调的，所以限制了这些材料的应用范围。IIB-IVA-VA2黄铜矿固溶体化合物，在原有黄铜矿化合物IIB-IVA-VA2中，P、As共同占据上述化学式中VA元素的位置所形成的化合物，该化合物的分子式为IIB-IVA-(PxAs1-x)2，x的取值范围为：0＜X＜1。本发明产品通过调节x的取值，可以改变化合物组成和化合物吸收带边，从而增加了这些材料的应用范围，利于推广应用。
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公开(公告)号：CN1306073C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200410044154.7
申请日：2004-12-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 晶体的可视小角度倾斜区熔生长装置及其生长方法，涉及一种晶体材料的生长装置及其生长方法。现有的生长装置及生长方法存在着结晶体成分沿生长方向不一致的弊端。本发明的生长装置在第二层石英管1-2内第一加热线圈4-1的外部设有第二加热线圈4-2，所述第三层石英管1-3同时与传动装置5连接。本发明的生长方法为，第一加热线圈4-1加热后构成基础温区，第二加热线圈4-2加热后构成高温区，原料与籽晶的接触处处于高温区至熔化后，传动装置5带动石英管及其内部的加热线圈向生长船内的“原料”一端移动，原料依次通过高温区熔化后定向凝固，得到晶体。用本发明装置及方法生长的晶体可以定向生长且晶体组成沿生长方向均匀一致，利于推广应用。
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公开(公告)号：CN1648271A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510009614.7
申请日：2005-01-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C22C29/00
Abstract: IIB－IVA－VA2黄铜矿类固溶体化合物，它涉及一种晶体材料，特别是一种黄铜矿类化合物。现在生长的黄铜矿类半导体晶体材料的吸收带边都是固定不可调的，所以限制了这些材料的应用范围。IIB－IVA－VA2黄铜矿类固溶体化合物，在原有黄铜矿类化合物IIB－IVA－VA2中，P、As共同占据上述化学式中VA元素的位置所形成的化合物，该化合物的分子式为IIB－IVA－(PxAs1－x)2，x的取值范围为：0＜X＜1。本发明产品通过调节x的取值，可以改变化合物组成和化合物吸收带边，从而增加了这些材料的应用范围，利于推广应用。
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