公开(公告)号：CN104576805A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201510030089.0

申请日：2015-01-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 于清江 ,  李晓超 ,  蒋洞微 ,  于翠玲 ,  国凤云 ,  王金忠

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0304

CPC classification number: H01L31/1013 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/109

Abstract: 本发明公开了一种基于InAs/GaSb II类超晶格材料的短波/中波/长波三色红外探测器，其包括GaSb衬底、沉积于GaSb衬底上的外延结构、钝化层、金属电极，所述外延结构从下至上依次为GaSb缓冲层、n型InAs/GaSb超晶格接触层、第一M型InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs超晶格空穴阻挡层、p型InAs/GaSb超晶格长波红外吸收层、第一p型InAs/GaSb超晶格接触层、p型InAs/GaSb超晶格中波红外吸收层、第二M型InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs超晶格空穴阻挡层、p型InAs/GaSb超晶格短波红外吸收层、第二p型InAs/GaSb超晶格接触层和盖层。该探测器具有pMp-p-π-M-n异质结构，具有低串扰、低暗电流、高探测率的优点。

公开(公告)号：CN104576805B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201510030089.0

申请日：2015-01-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 于清江 ,  李晓超 ,  蒋洞微 ,  于翠玲 ,  国凤云 ,  王金忠

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0304

Abstract: 本发明公开了一种基于InAs/GaSbⅡ类超晶格材料的短波/中波/长波三色红外探测器，其包括GaSb衬底、沉积于GaSb衬底上的外延结构、钝化层、金属电极，所述外延结构从下至上依次为GaSb缓冲层、n型InAs/GaSb超晶格接触层、第一M型InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs超晶格空穴阻挡层、p型InAs/GaSb超晶格长波红外吸收层、第一p型InAs/GaSb超晶格接触层、p型InAs/GaSb超晶格中波红外吸收层、第二M型InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs超晶格空穴阻挡层、p型InAs/GaSb超晶格短波红外吸收层、第二p型InAs/GaSb超晶格接触层和盖层。该探测器具有pMp?p?π?M?n异质结构，具有低串扰、低暗电流、高探测率的优点。