公开(公告)号：CN118738171A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410768701.3

申请日：2024-06-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王先杰 ,  胡君北 ,  宋波 ,  付强

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H04B10/2575 ,  G01V8/10

Abstract: 一种全钙钛矿异质结材料及光电传感器的制备方法和应用，本发明是要解决位敏探测器的位置灵敏度较低、未有同时兼具信号光位置和强度解调的无线光通信系统的问题。本发明所述的全钙钛矿异质结材料是在n型铌掺杂钛酸锶基片上采用脉冲激光沉积法制备p型镍酸盐氧化物层，在镍酸盐氧化物层表面沉积卤素钙钛矿层。本发明利用光电性质优异的CsPbBr3作为吸光层，Nb:SrTiO3半导体作为衬底形成内建电场提供载流子驱动力，通过调控PrxSm1‑xNiO3薄膜中Pr和Sm的比例改变异质结的电输运性质，实现兼具优异的侧向光伏灵敏度和超快的响应速度的传感器，该器件能实现对激光功率和光斑位置的线性探测。

公开(公告)号：CN113380911B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202110644498.5

申请日：2021-06-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张伶莉 ,  申哲远 ,  王先杰 ,  胡君北 ,  宋波

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  G01B11/00

Abstract: 基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料及光电位敏传感器的制备方法，本发明属于传感器领域，它为了解决现有光电位敏传感器的响应速度较慢，位置灵敏度不高的问题。本发明基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料具有p‑n结结构，在n型硼掺杂硅基片上采用激光脉冲沉积有厚度为150～250nm的p型卤素钙钛矿溴化物层，其中所述的p型卤素钙钛矿溴化物为CsSnBr3或CsPbBr3。将该异质结表面镀有金电极制备传感器。本发明基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料的传感器位置敏感度高，光电响应速度快，其位置灵敏度最大在405nm波长、10mW功率的激光照射下，达到了880mV/mm。

公开(公告)号：CN113380911A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110644498.5

申请日：2021-06-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张伶莉 ,  申哲远 ,  王先杰 ,  胡君北 ,  宋波

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  G01B11/00

Abstract: 基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料及光电位敏传感器的制备方法，本发明属于传感器领域，它为了解决现有光电位敏传感器的响应速度较慢，位置灵敏度不高的问题。本发明基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料具有p‑n结结构，在n型硼掺杂硅基片上采用激光脉冲沉积有厚度为150～250nm的p型卤素钙钛矿溴化物层，其中所述的p型卤素钙钛矿溴化物为CsSnBr3或CsPbBr3。将该异质结表面镀有金电极制备传感器。本发明基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料的传感器位置敏感度高，光电响应速度快，其位置灵敏度最大在405nm波长、10mW功率的激光照射下，达到了880mV/mm。