一种氮化硅纳米无纺布及其制备方法

    公开(公告)号:CN101838886A

    公开(公告)日:2010-09-22

    申请号:CN201010204481.X

    申请日:2010-06-21

    Abstract: 一种氮化硅纳米无纺布及其制备方法,它涉及氮化硅纳米材料及其制备方法。本发明解决现有氮化硅纳米纤维在实际应用中易团聚、分散不均匀、难以形成固定形状的问题。无纺布由单晶α-Si3N4纳米纤维自组装交叉叠加形成,厚度为0.5~20mm,其中氮化硅纳米纤维为单晶α-Si3N4、长度分布在0.1~60mm。方法:凝胶溶胶法制得非晶态Si-B-O-C复合粉体,然后将复合粉体放置于坩埚底部,盖上坩埚盖,并置于气氛烧结炉,在氮气氛中热处理即可。氮化硅纳米无纺布克服了现有氮化硅纳米纤维应用中分散不均匀、容易团聚等问题,有优良的均匀性,纯度高,物理化学稳定性高,有广阔的应用前景。制备工艺简单、节能环保、易控制、成本低及产率高。

    Al4SiC4陶瓷的热处理方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101555162A

    公开(公告)日:2009-10-14

    申请号:CN200910072023.2

    申请日:2009-05-13

    Abstract: Al4SiC4陶瓷的热处理方法,它涉及一种增强陶瓷力学性能的方法,具体涉及一种热处理陶瓷的方法。本发明解决了现有Al4SiC4陶瓷室温下其弯曲强度小的问题。本发明方法如下:将研磨抛光后的Al4SiC4陶瓷在温度为600~1600℃的条件下保温10分钟~20小时,即得经过热处理的Al4SiC4陶瓷。采用本发明方法处理后的Al4SiC4陶瓷在室温下的弯曲强度的涨幅为25.7%~80%。

    一种碳化硅纳米无纺布及其制备方法

    公开(公告)号:CN101845711B

    公开(公告)日:2012-10-31

    申请号:CN201010204482.4

    申请日:2010-06-21

    Abstract: 一种碳化硅纳米无纺布及其制备方法,涉及SiC纳米线材料及其制备方法。本发明解决现有SiC纳米纤维在应用中易团聚、分散不均匀、难以形成固定形状的问题。无纺布由β-SiC单晶相纳米纤维自组装交叉叠加形成,厚度0.2~50mm,单根长度为50微米至5厘米。方法:凝胶溶胶法制得非晶态Si-B-O-C复合粉体,然后将复合粉体研磨后与乙醇混合得浆料,再将浆料涂在坩埚底部后将坩埚置于气氛烧结炉,在惰性气氛中热处理即可。碳化硅纳米无纺布解决SiC纳米纤维难以应用的弊端,作为增强相得的复合材料中纳米纤维分布均匀,复合材料性能提高。方法简单,制备周期短,大规模、高产率地制备SiC纳米无纺布。

    一种氮化硅纳米无纺布的制备方法

    公开(公告)号:CN101838886B

    公开(公告)日:2012-02-29

    申请号:CN201010204481.X

    申请日:2010-06-21

    Abstract: 一种氮化硅纳米无纺布的制备方法,它涉及氮化硅纳米材料的制备方法。本发明解决现有氮化硅纳米纤维在实际应用中易团聚、分散不均匀、难以形成固定形状的问题。无纺布由单晶α-Si3N4纳米纤维自组装交叉叠加形成,厚度为0.5~20mm,其中氮化硅纳米纤维为单晶α-Si3N4、长度分布在0.1~60mm。方法:凝胶溶胶法制得非晶态Si-B-O-C复合粉体,然后将复合粉体放置于坩埚底部,盖上坩埚盖,并置于气氛烧结炉,在氮气氛中热处理即可。氮化硅纳米无纺布克服了现有氮化硅纳米纤维应用中分散不均匀、容易团聚等问题,有优良的均匀性,纯度高,物理化学稳定性高,有广阔的应用前景。制备工艺简单、节能环保、易控制、成本低及产率高。

    一种碳化硅纳米无纺布及其制备方法

    公开(公告)号:CN101845711A

    公开(公告)日:2010-09-29

    申请号:CN201010204482.4

    申请日:2010-06-21

    Abstract: 一种碳化硅纳米无纺布及其制备方法,涉及SiC纳米线材料及其制备方法。本发明解决现有SiC纳米纤维在应用中易团聚、分散不均匀、难以形成固定形状的问题。无纺布由β-SiC单晶相纳米纤维自组装交叉叠加形成,厚度0.2~50mm,单根长度为50微米至5厘米。方法:凝胶溶胶法制得非晶态Si-B-O-C复合粉体,然后将复合粉体研磨后与乙醇混合得浆料,再将浆料涂在坩埚底部后将坩埚置于气氛烧结炉,在惰性气氛中热处理即可。碳化硅纳米无纺布解决SiC纳米纤维难以应用的弊端,作为增强相得的复合材料中纳米纤维分布均匀,复合材料性能提高。方法简单,制备周期短,大规模、高产率地制备SiC纳米无纺布。

    一种沉淀池消能装置
    8.
    实用新型

    公开(公告)号:CN222266242U

    公开(公告)日:2024-12-31

    申请号:CN202421059202.9

    申请日:2024-05-15

    Abstract: 本实用新型涉及一种沉淀池消能装置包括沉淀池底部设置进水管,进水管顶部设置消能鼓,进水管底部设置进水口,沉淀池底部还设置有虹吸泥机,消能鼓包括底座、第一挡板、第二挡板、第三挡板和消能鼓外壁组成,底座为圆环形结构,底座与进水管的顶端固定连接,在底座的内圆环上固定设置第一挡板,外圆环上固定设置第三挡板,第一挡板与第三挡板之间固定设置第二挡板,第一挡板、第二挡板和第三挡板的高度相同,在第一挡板、第二挡板和第三挡板的顶部固定设置消能鼓外壁。本实用新型的有益效果:降低沉淀池进水的强烈射流冲击,提高沉淀池沉淀效率,同时避免短路和污泥分布不均的问题,使用了该装置的沉淀池的出口湍流动能降低了19.38%(从7.57e‑4j/kg降至6.103e‑4j/kg)。

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