-
公开(公告)号：CN118588661A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410621786.2
申请日：2024-05-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L23/427 , H01L23/473
Abstract: 一种针对芯片热点多级多模式快速解热的散热结构，涉及集成电路的集成化散热领域。为解决现有的散热结构针对芯片的封装外壳结构采用均匀散热的热管理方式，由于集成电路芯片中存在的热点分布不均匀、热点集中、局部热流密度高，从而导致散热效率低下，并且现有的散热结构集成度较低的问题。在热源端通过使散热结构直接与发热集成电路芯片集成的方式，大幅度降低芯片与散热结构之间的热阻，可以在减小散热结构体积的同时，提升散热效率，全面提高散热结构与芯片之间的集成度；采用点、面、相变的多级热传导模式，能够针对集成电路芯片的集中热点，实现等效换热面积的逐级增加，提高了散热效率。本发明适用于集成电路的集成化散热领域。
Search Results
1
records
(took 0.027 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
