公开(公告)号：CN105481369B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201510938036.9

申请日：2015-12-10

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 段小明 ,  贾德昌 ,  杨治华 ,  田卓 ,  何培刚 ,  王胜金 ,  周玉

IPC: C04B35/5833 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645 ,  B32B37/12 ,  B32B37/10 ,  B32B37/06

Abstract: 一种具有定向导热特性的层状六方氮化硼基复合陶瓷的制备方法，它涉及一种复合陶瓷的制备方法。本发明的目的是要解决现有方法不能制备出在某个方向具有良好的热导率，而在另外的方向需要相对低的热导率的六方氮化硼陶瓷的问题。方法：一、制备六方氮化硼素坯料和氧化物陶瓷坯料；二、制备叠层坯体A；三、制备叠层坯体D；四、制备脱除粘结剂的叠层坯体；五、烧结，得到具有定向导热特性的层状六方氮化硼基复合陶瓷。本发明制备的陶瓷的热导率为15W/(m·K)～20W/(m·K)，垂直于层片的热导率为2W/(m·K)～3.5W/(m·K)。本发明可获得一种具有定向导热特性的层状六方氮化硼基复合陶瓷。

公开(公告)号：CN105481369A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201510938036.9

申请日：2015-12-10

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 段小明 ,  贾德昌 ,  杨治华 ,  田卓 ,  何培刚 ,  王胜金 ,  周玉

IPC: C04B35/5833 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645 ,  B32B37/12 ,  B32B37/10 ,  B32B37/06

CPC classification number: C04B35/583 ,  B32B37/06 ,  B32B37/10 ,  B32B37/12 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/666

Abstract: 一种具有定向导热特性的层状六方氮化硼基复合陶瓷的制备方法，它涉及一种复合陶瓷的制备方法。本发明的目的是要解决现有方法不能制备出在某个方向具有良好的热导率，而在另外的方向需要相对低的热导率的六方氮化硼陶瓷的问题。方法：一、制备六方氮化硼素坯料和氧化物陶瓷坯料；二、制备叠层坯体A；三、制备叠层坯体D；四、制备脱除粘结剂的叠层坯体；五、烧结，得到具有定向导热特性的层状六方氮化硼基复合陶瓷。本发明制备的陶瓷的热导率为15W/(m·K)～20W/(m·K)，垂直于层片的热导率为2W/(m·K)～3.5W/(m·K)。本发明可获得一种具有定向导热特性的层状六方氮化硼基复合陶瓷。

公开(公告)号：CN105081503A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510582412.5

申请日：2015-09-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 段小明 ,  贾德昌 ,  吴祖亮 ,  杨治华 ,  何培刚 ,  田卓 ,  王胜金 ,  周玉

IPC: B23K1/20 ,  B23K1/008

CPC classification number: B23K1/20 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/008 ,  B23K1/206

Abstract: 一种利用NiCrSi钎料实现SiC基复合陶瓷与Invar合金连接的钎焊方法，本发明涉及一种钎焊方法，本发明是要解决SiC基复合陶瓷与Invar合金连接难度大，接头性能不好的问题，方法为：打磨、抛光、清洗然后将NiCrSi钎料粘在SiC复合陶瓷和Invar合金之间，再放入真空钎焊炉中压紧，抽真空，升温至400～700℃，保温，再进行钎焊连接，然后降温至500℃，最后随炉冷却，即完成。本发明通过连接层与母材之间的成分扩散均匀化，进一步提高接头的耐高温性能，最终获得综合性能良好的接头，剪切强度可达76mpa，本发明属于异种材料的连接技术领域。

公开(公告)号：CN103964860A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410186383.6

申请日：2014-05-05

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 贾德昌 ,  田卓 ,  叶书群 ,  段小明 ,  杨治华 ,  周玉

IPC: C04B35/5833 ,  C04B35/63

Abstract: 一种以纳米硅溶胶为烧结助剂热压制备的氮化硼基透波复合材料及其制备方法，本发明涉及氮化硼基透波复合材料及其制备方法。本发明要解决现有氮化硼透波陶瓷复合材料的度低、韧性差的不足的技术问题。氮化硼基透波复合材料按体积百分比非晶态纳米SiO2为10％～40％和六方氮化硼粉末为60％～90％制成；方法：一、混合，球磨，制得浆料；二、研碎、过筛，得到混料；三、烧结，冷却。本发明获得的氮化硼基透波复合材料的力学性能，热学性能和介电性能均达到天线窗材料的要求。本发明具有制备过程简单、工艺可控、能够制造大尺寸天线窗陶瓷材料，适于批量生产的优点。本发明用于制备氮化硼基透波复合材料。

公开(公告)号：CN103964860B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201410186383.6

申请日：2014-05-05

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 贾德昌 ,  田卓 ,  叶书群 ,  段小明 ,  杨治华 ,  周玉

IPC: C04B35/5833 ,  C04B35/63

Abstract: 一种以纳米硅溶胶为烧结助剂热压制备的氮化硼基透波复合材料的制备方法，本发明涉及氮化硼基透波复合材料的制备方法。本发明要解决现有氮化硼透波陶瓷复合材料的度低、韧性差的不足的技术问题。方法：一、混合，球磨，制得浆料；二、研碎、过筛，得到混料；三、烧结，冷却。本发明获得的氮化硼基透波复合材料的力学性能，热学性能和介电性能均达到天线窗材料的要求。本发明具有制备过程简单、工艺可控、能够制造大尺寸天线窗陶瓷材料，适于批量生产的优点。本发明用于制备氮化硼基透波复合材料。

公开(公告)号：CN103145112A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310106226.5

申请日：2013-03-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 贾德昌 ,  田卓 ,  段小明 ,  杨治华 ,  叶书群 ,  周玉 ,  张培峰

IPC: C01B31/00

Abstract: 一种BN-Si2N2O复合陶瓷及其制备方法，它涉及一种氮化硼基陶瓷材料及其制备方法。本发明的目的是要解决现有氮化硼基复合材料的制备方法存在制备成本高、效率低和难于制备大尺寸氮化硼基陶瓷构件的问题。一种BN-Si2N2O复合陶瓷由非晶态纳米二氧化硅、氮化硅粉末和六方氮化硼粉末制成；方法：一、称量；二、球磨制浆料；三、干燥制粉；四、预压成型；五、冷等静压处理；六、烧结处理，即得到BN-Si2N2O复合陶瓷。本发明优点：降低了制备成本高，提高了效率，降低了制备大尺寸氮化硼基陶瓷构件的难度。本发明主要用于制备BN-Si2N2O复合陶瓷。

公开(公告)号：CN103145112B

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201310106226.5

申请日：2013-03-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 贾德昌 ,  田卓 ,  段小明 ,  杨治华 ,  叶书群 ,  周玉 ,  张培峰

IPC: C01B31/00

Abstract: 一种BN-Si2N2O复合陶瓷及其制备方法，它涉及一种氮化硼基陶瓷材料及其制备方法。本发明的目的是要解决现有氮化硼基复合材料的制备方法存在制备成本高、效率低和难于制备大尺寸氮化硼基陶瓷构件的问题。一种BN-Si2N2O复合陶瓷由非晶态纳米二氧化硅、氮化硅粉末和六方氮化硼粉末制成；方法：一、称量；二、球磨制浆料；三、干燥制粉；四、预压成型；五、冷等静压处理；六、烧结处理，即得到BN-Si2N2O复合陶瓷。本发明优点：降低了制备成本高，提高了效率，降低了制备大尺寸氮化硼基陶瓷构件的难度。本发明主要用于制备BN-Si2N2O复合陶瓷。