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公开(公告)号:CN112281133B
公开(公告)日:2021-09-07
申请号:CN202011172175.2
申请日:2020-10-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/54
Abstract: 本发明涉及一种谐振子膜层厚度分布及均匀程度修正方法和半球谐振子制造方法,该谐振子膜层厚度分布及均匀程度修正方法包括:获取镀膜设备和镀膜工件的三维数据;根据获取的三维数据建立镀膜工件及有效镀膜区域的三维模型,对镀膜工件待镀膜的镀膜面沿径向分布划分网格;利用有限元仿真获得不同工艺参数对应的镀膜工件即半球谐振子在镀膜表面的膜层厚度分布及均匀程度数据;在镀膜过程中,采集镀膜厚度参数,动态分析膜层的厚度分布及均匀程度,依据已获得的膜层厚度及均匀程度结果修正镀膜的工艺参数,使膜层厚度分布均匀程度不断提高。采用本发明能够快速实现半球谐振子所需的均匀镀膜,并提高实际镀膜过程中产品的质量。
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公开(公告)号:CN112281133A
公开(公告)日:2021-01-29
申请号:CN202011172175.2
申请日:2020-10-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/54
Abstract: 本发明涉及一种谐振子膜层厚度分布及均匀程度修正方法和半球谐振子制造方法,该谐振子膜层厚度分布及均匀程度修正方法包括:获取镀膜设备和镀膜工件的三维数据;根据获取的三维数据建立镀膜工件及有效镀膜区域的三维模型,对镀膜工件待镀膜的镀膜面沿径向分布划分网格;利用有限元仿真获得不同工艺参数对应的镀膜工件即半球谐振子在镀膜表面的膜层厚度分布及均匀程度数据;在镀膜过程中,采集镀膜厚度参数,动态分析膜层的厚度分布及均匀程度,依据已获得的膜层厚度及均匀程度结果修正镀膜的工艺参数,使膜层厚度分布均匀程度不断提高。采用本发明能够快速实现半球谐振子所需的均匀镀膜,并提高实际镀膜过程中产品的质量。
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