一种氟化铜/聚合物双包覆铬氧化物正极材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN120033232A

    公开(公告)日:2025-05-23

    申请号:CN202510209455.2

    申请日:2025-02-25

    Abstract: 一种氟化铜/聚合物双包覆铬氧化物正极材料及其制备方法和应用,属于锂离子电池技术领域。具体方案如下:所述正极材料包括内核、包覆在内核上的内包覆层,以及包覆在内包覆层上的外包覆层;所述内核为铬氧化物,所述内包覆层为氟化铜包覆层,所述外包覆层为聚合物和高导电性材料的混合包覆层。本发明采用化学沉淀法在铬氧化物表面引入具有高电压窗口和高放电容量的氟化铜包覆层,并在材料外表面构建了一层导电材料和聚合物的混合包覆层,该双包覆层隔绝了铬氧化物与电解液之间的自放电现象,提高了材料的放电平台,原位聚合构建的聚合物层使得材料具备优异的离子和电子传输特性,有效的提高了铬氧化物的放电比容量、倍率性能和贮存性能。

    一种合成普鲁士蓝类正极材料的油-冰半固相共沉淀工艺

    公开(公告)号:CN118833832B

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202411168358.5

    申请日:2024-08-23

    Abstract: 一种合成普鲁士蓝类正极材料的油‑冰半固相共沉淀工艺,属于电池技术领域。所述工艺为:将有机金属盐完全溶解于密度大于水的油系有机溶剂中;将金属氰酸盐完全溶解在水中,然后冷冻成若干个冰块;其中,有机金属盐的物质的量与金属氰酸盐的物质的量相同;将若干个冰块按照一定的时间间隔分多次加到油系溶液中,待二者完全反应;产物保存一段时间后,使用一定质量分数且溶于水的有机溶液洗涤后离心,并真空干燥,得到普鲁士蓝类正极材料。本发明提供的普鲁士蓝类正极材料,由于采用低水环境的油‑冰共沉淀合成法制备,有利于减少材料结晶水含量。相较于其他合成工艺,本发明提供的正极材料,缺陷极少,颗粒均匀,分散极好。

    一种合成普鲁士蓝类正极材料的油-冰半固相共沉淀工艺

    公开(公告)号:CN118833832A

    公开(公告)日:2024-10-25

    申请号:CN202411168358.5

    申请日:2024-08-23

    Abstract: 一种合成普鲁士蓝类正极材料的油‑冰半固相共沉淀工艺,属于电池技术领域。所述工艺为:将有机金属盐完全溶解于密度大于水的油系有机溶剂中;将金属氰酸盐完全溶解在水中,然后冷冻成若干个冰块;其中,有机金属盐的物质的量与金属氰酸盐的物质的量相同;将若干个冰块按照一定的时间间隔分多次加到油系溶液中,待二者完全反应;产物保存一段时间后,使用一定质量分数且溶于水的有机溶液洗涤后离心,并真空干燥,得到普鲁士蓝类正极材料。本发明提供的普鲁士蓝类正极材料,由于采用低水环境的油‑冰共沉淀合成法制备,有利于减少材料结晶水含量。相较于其他合成工艺,本发明提供的正极材料,缺陷极少,颗粒均匀,分散极好。

    一种具有新型孔壁结构的多孔碳化硅陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN103274693A

    公开(公告)日:2013-09-04

    申请号:CN201310229375.0

    申请日:2013-06-06

    Abstract: 一种具有新型孔壁结构的多孔碳化硅陶瓷及其制备方法,本发明涉及多孔碳化硅陶瓷及其制备方法。本发明要解决现有方法制备的多孔碳化硅陶瓷力学性能低、比表面积低的技术问题。该多孔碳化硅陶瓷由碳化硅粉体、烧结助剂、去离子水、分散剂、粘结剂和消泡剂制备;方法:一、制备浆料;二、制备多孔碳化硅陶瓷生坯;三、制备预氧化多孔碳化硅陶瓷坯体;四、制备钡长石原位结合的多孔碳化硅陶瓷;五、高温热处理。本发明制备的多孔陶瓷孔隙率可达20vol%-82vol%,孔径为0.1-300μm;气孔率为48v0l%时,抗弯强度可达63MPa;孔壁中原位生成长棒状碳化硅晶粒。本发明用于制备具有新型孔壁结构的多孔碳化硅陶瓷。

    一种SiO2气凝胶/多孔Si3N4复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN103304252A

    公开(公告)日:2013-09-18

    申请号:CN201310233416.3

    申请日:2013-06-13

    Abstract: 一种SiO2气凝胶/多孔Si3N4复合材料的制备方法,本发明涉及复合材料的制备方法。本发明要解决多孔Si3N4微米级孔隙难以用于隔热领域和纯SiO2气凝胶强度太低难以直接应用的问题。方法:一、制备浆料;二、制备多孔陶瓷生坯;三、制备多孔Si3N4;四、制备SiO2溶胶;五、得到SiO2气凝胶/多孔Si3N4复合材料。本发明制备的复合材料抗压强度为5~50MPa,常温下的导热系数为0.03~0.08w/(m·K),介电常数1.40~1.80,介电损耗正切角0.1~3×10-2,密度0.38~0.8g/cm3,平均孔径8~30nm。本发明用于制备SiO2气凝胶/多孔Si3N4复合材料。

    一种SiO2气凝胶/多孔Si3N4复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN103304252B

    公开(公告)日:2014-04-23

    申请号:CN201310233416.3

    申请日:2013-06-13

    Abstract: 一种SiO2气凝胶/多孔Si3N4复合材料的制备方法,本发明涉及复合材料的制备方法。本发明要解决多孔Si3N4微米级孔隙难以用于隔热领域和纯SiO2气凝胶强度太低难以直接应用的问题。方法:一、制备浆料;二、制备多孔陶瓷生坯;三、制备多孔Si3N4;四、制备SiO2溶胶;五、得到SiO2气凝胶/多孔Si3N4复合材料。本发明制备的复合材料抗压强度为5~50MPa,常温下的导热系数为0.03~0.08w/(m·K),介电常数1.40~1.80,介电损耗正切角0.1~3×10-2,密度0.38~0.8g/cm3,平均孔径8~30nm。本发明用于制备SiO2气凝胶/多孔Si3N4复合材料。

    一种隔热透波SiO2-Si3N4复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN103274697A

    公开(公告)日:2013-09-04

    申请号:CN201310217999.0

    申请日:2013-06-04

    Abstract: 一种隔热透波SiO2-Si3N4复合材料的制备方法,涉及一种复合材料的制备方法。本发明是要解决超临界干燥法难以制备大尺寸材料和冷冻干燥法由于冰晶的生长而形成较多微米级孔洞的技术问题。方法为:一、制备水解的正硅酸乙酯;二、制备含有体积分数为1%~30%的Si3N4粉体的凝胶复合体;三、制备老化后的凝胶复合体;四、制备溶剂置换处理的凝胶复合体;五、制备隔热透波SiO2-Si3N4复合材料。本发明制备得到SiO2-Si3N4复合材料孔隙率为60~86%、平均孔径为6~20nm,介电常数<2,介电损耗较低,常温下的导热系数最低值可达0.02w/m·K,具有良好的隔热透波性能,应用于航空航天领域。

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