公开(公告)号：CN1004737B

公开(公告)日：1989-07-05

申请号：CN87102729

申请日：1987-04-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘振茂 ,  张国威 ,  张鹏俭

IPC: H01L29/72 ,  H01L21/18

Abstract: 在对硅平面型功率晶体管管芯cb结低击穿、管道击穿、多段击穿、大漏电，以及ce结穿通等产生原因的研究分析的基础上，提出一种刻蚀沟槽和低温钝化相结合的刻槽硅平面型功率晶体管管芯制造技术。大幅度的提高功率晶体管管芯的合格率和高档品率，并使整批管芯cb结击穿电压均一化，改善管芯电性能等。

公开(公告)号：CN87102729A

公开(公告)日：1988-04-06

申请号：CN87102729

申请日：1987-04-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘振茂 ,  张国威 ,  张鹏俭

IPC: H01L21/18

Abstract: 在对硅平面型功率晶体管管芯cb结低击穿、管道击穿、多段击穿、大漏电，以及ce结穿通等产生原因的研究分析的基础上，提出一种刻蚀沟槽和低温钝化相结合的刻槽硅平面型功率晶体管管芯制造技术。大幅度的提高功率晶体管管芯的合格率和高档品率，并使整批管芯cb结击穿电压均一化，改善管芯电性能等。