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公开(公告)号：CN103824704A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410061924.2
申请日：2014-02-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种碳纳米管-石墨烯超级电容器复合电极材料的制备方法，它涉及复合电极材料的制备方法。本发明要解决现有CVD方法制备的石墨烯存在制备温度较高，厘米量级的石墨烯不能作为电极材料应用于超级电容器中的问题。方法：将基底材料置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氩气，升温至温度为700℃～900℃，再通入碳源气体调节压强进行沉积，沉积结束后，停止通入碳源气体，最后冷却至100℃以下，即得到碳纳米管-石墨烯超级电容器复合电极材料。本发明用于一种碳纳米管-石墨烯超级电容器复合电极材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN103646789A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310711134.X
申请日：2013-12-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种石墨烯-铂超级电容器复合电极材料的制备方法，本发明涉及复合电极材料的制备方法。本发明要解决现有CVD方法制备的石墨烯存在制备温度较高，厘米量级的石墨烯并不能作为电极材料应用于超级电容器中的问题。方法：将基底材料置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氩气，并在温度为700℃～900℃下保温，再通入碳源气体进行沉积，沉积结束后，停止通入碳源气体，最后冷却至100℃以下，即得到石墨烯-铂超级电容器复合电极材料。本发明一种石墨烯-铂超级电容器复合电极材料的制备方法制备温度低，比容高，减小了电子阻力，能作为电极材料应用于超级电容器。本发明用于一种石墨烯-铂超级电容器复合电极材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN104269283B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201410583583.5
申请日：2014-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01G11/86
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种高比电容石墨烯超级电容器电极材料的制备方法，本发明涉及石墨烯超级电容器电极材料的制备方法。本发明要解决现有石墨烯制备方法中，温度过高可能会引起石墨烯结构性质的变化和石墨烯褶皱的形成，阻碍了电荷的传输，使电荷湮灭几率增大，且由于石墨烯的疏水性，使石墨烯与电解液之间不能很好地润湿，导致电荷传导和存储的有效面积大大降低的问题。方法：将基底材料置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氩气，调节压强并升温，通入碳源气体，进行沉积，沉积结束后，停止通入碳源气体，进行射频等离子体刻蚀，射频等离子体刻蚀结束后，冷却至室温。本发明用于一种高比电容石墨烯超级电容器电极材料的制备。
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公开(公告)号：CN103824704B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410061924.2
申请日：2014-02-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种碳纳米管?石墨烯超级电容器复合电极材料的制备方法，它涉及复合电极材料的制备方法。本发明要解决现有CVD方法制备的石墨烯存在制备温度较高，厘米量级的石墨烯不能作为电极材料应用于超级电容器中的问题。方法：将基底材料置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氩气，升温至温度为700℃～900℃，再通入碳源气体调节压强进行沉积，沉积结束后，停止通入碳源气体，最后冷却至100℃以下，即得到碳纳米管?石墨烯超级电容器复合电极材料。本发明用于一种碳纳米管?石墨烯超级电容器复合电极材料的制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104064378A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410338863.X
申请日：2014-07-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01G11/86 , C23C16/513 , C23C16/26
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种低成本三维结构石墨烯-铝超级电容器复合电极材料的制备方法，本发明涉及复合电极材料的制备方法。本发明要解决现有石墨烯基超级电容器采用的石墨烯材料大部分为氧化法制备的石墨烯，结构缺陷多，表面含氧官能团很多，极大地恶化了石墨烯基超级电容器的性能，使得超级电容器在使用过程中与电解液的润湿性差，有效反应面积降低，难以发挥出石墨烯材料的高比表面积及优异电学性能。本发明的方法：将基体材料置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氩气，调节温度及压强，再通入甲烷气体进行沉积，沉积结束后，即得到三维结构石墨烯-铝超级电容器复合电极材料。本发明用于制备石墨烯-铝超级电容器复合电极材料。
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公开(公告)号：CN104319117B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201410583167.5
申请日：2014-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种3D碗状混合纳米结构石墨烯超级电容器电极材料的制备方法，本发明涉及石墨烯超级电容器电极材料的制备方法。本发明要解决现有石墨烯制备方法中，温度过高可能会引起石墨烯结构性质的变化和石墨烯褶皱的形成，阻碍了电荷的传输，使电荷湮灭几率增大，也导致电荷传导和存储的有效面积大大降低，且二维平面基底的面积是一定的，限制了可沉积的石墨烯数量，使电极材料的有效比表面积无法继续提高的问题。方法：将基底材料置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氩气，调节压强并升温，然后对基底材料进行退火处理，再通入碳源气体进行沉积，最后冷却至室温。本发明用于一种3D碗状混合纳米结构石墨烯超级电容器电极材料的制备。
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公开(公告)号：CN103646789B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201310711134.X
申请日：2013-12-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种石墨烯-铂超级电容器复合电极材料的制备方法，本发明涉及复合电极材料的制备方法。本发明要解决现有CVD方法制备的石墨烯存在制备温度较高，厘米量级的石墨烯并不能作为电极材料应用于超级电容器中的问题。方法：将基底材料置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氩气，并在温度为700℃～900℃下保温，再通入碳源气体进行沉积，沉积结束后，停止通入碳源气体，最后冷却至100℃以下，即得到石墨烯-铂超级电容器复合电极材料。本发明一种石墨烯-铂超级电容器复合电极材料的制备方法制备温度低，比容高，减小了电子阻力，能作为电极材料应用于超级电容器。本发明用于一种石墨烯-铂超级电容器复合电极材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN104319117A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410583167.5
申请日：2014-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种3D碗状混合纳米结构石墨烯超级电容器电极材料的制备方法，本发明涉及石墨烯超级电容器电极材料的制备方法。本发明要解决现有石墨烯制备方法中，温度过高可能会引起石墨烯结构性质的变化和石墨烯褶皱的形成，阻碍了电荷的传输，使电荷湮灭几率增大，也导致电荷传导和存储的有效面积大大降低，且二维平面基底的面积是一定的，限制了可沉积的石墨烯数量，使电极材料的有效比表面积无法继续提高的问题。方法：将基底材料置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氩气，调节压强并升温，然后对基底材料进行退火处理，再通入碳源气体进行沉积，最后冷却至室温。本发明用于一种3D碗状混合纳米结构石墨烯超级电容器电极材料的制备。
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公开(公告)号：CN104269283A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410583583.5
申请日：2014-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01G11/86
Abstract: 一种高比电容石墨烯超级电容器电极材料的制备方法，本发明涉及石墨烯超级电容器电极材料的制备方法。本发明要解决现有石墨烯制备方法中，温度过高可能会引起石墨烯结构性质的变化和石墨烯褶皱的形成，阻碍了电荷的传输，使电荷湮灭几率增大，且由于石墨烯的疏水性，使石墨烯与电解液之间不能很好地润湿，导致电荷传导和存储的有效面积大大降低的问题。方法：将基底材料置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氩气，调节压强并升温，通入碳源气体，进行沉积，沉积结束后，停止通入碳源气体，进行射频等离子体刻蚀，射频等离子体刻蚀结束后，冷却至室温。本发明用于一种高比电容石墨烯超级电容器电极材料的制备。
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