公开(公告)号：CN1293015C

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN200510075767.1

申请日：2004-04-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 温广武 ,  李峰 ,  张俊宝 ,  宋亮

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  C03B32/02

Abstract: 一种高温结构陶瓷材料SiBONC的制备方法，涉及一种陶瓷材料的制备工艺。本发明按照下述步骤进行制备：a、将四氯化硅与苯甲醛混合后在紫外灯照射下反应得到硅氧聚合物；b、向硅氧聚合物中加入烷基胺，得到Si-O-N有机聚合物；c、向Si-O-N有机聚合物中通入硼化物，得到Si-B-O-N-C有机聚合物；d、在管式气氛保护炉中，对Si-B-O-N-C有机聚合物进行裂解得到Si-B-O-N-C粉末；e、将所制备的Si-B-O-N-C粉末在真空/气氛热压中烧结得到致密的Si-B-O-N-C陶瓷。本发明制备的Si-B-O-N-C陶瓷具有工艺简单、制备成本低的优点。

公开(公告)号：CN1255353C

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200410013682.6

申请日：2004-04-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 温广武 ,  李峰 ,  张俊宝 ,  宋亮

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 一种高温结构陶瓷材料SiBONC，它涉及一种陶瓷材料。本发明中涉及到的材料是由Si、B、O、N、C组成的非晶与微晶陶瓷，其中Si、B、O、N、C的摩尔比为(1～6)∶1∶(2～8)∶(1～2)∶(0.2～0.5)。本发明制备得到Si-B-O-N-C材料特征为：陶瓷粉末为粒径20～200nm的球型非晶态纳米粉末；Si-B-O-N-C陶瓷制品的抗弯强度为60～300MPa；断裂韧性为1.4～3.0MPa/m1/2、密度为2.0～2.5g/cm3，该陶瓷制品在1000～1800℃的温度下仍能保持非晶态，在1000℃时的高温力学性能损失率仅为10%～50%，而且抗蠕变温度提高到1500～1800℃。

公开(公告)号：CN1721364A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510075767.1

申请日：2004-04-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 温广武 ,  李峰 ,  张俊宝 ,  宋亮

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  C03B32/02

Abstract: 一种高温结构陶瓷材料SiBONC的制备方法，涉及一种陶瓷材料的制备工艺。本发明按照下述步骤进行制备：a.将四氯化硅与苯甲醛混合后在紫外灯照射下反应得到硅氧聚合物；b.向硅氧聚合物中加入烷基胺，得到Si－O－N有机聚合物；c.向Si－O－N有机聚合物中通入硼化物，得到Si－B－O－N－C有机聚合物；d.在管式气氛保护炉中，对Si－B－O－N－C有机聚合物进行裂解得到Si－B－O－N－C粉末；e.将所制备的Si－B－O－N－C粉末在真空/气氛热压中烧结得到致密的Si－B－O－N－C陶瓷。本发明制备的Si－B－O－N－C陶瓷具有工艺简单、制备成本低的优点。

公开(公告)号：CN1562866A

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN200410013682.6

申请日：2004-04-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 温广武 ,  李峰 ,  张俊宝 ,  宋亮

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 一种高温结构陶瓷材料SiBONC及其制备方法，涉及一种陶瓷材料及其制备工艺。本发明中涉及到的材料是由Si、B、O、N、C组成的非晶与微晶陶瓷，其中Si、B、O、N、C的摩尔比为(1～6)∶1∶(2～8)∶(1～2)∶(0.2～0.5)。它按照下述步骤进行制备：a.将四氯化硅与苯甲醛混合后在紫外灯照射下反应得到硅氧聚合物；b.向硅氧聚合物中加入烷基胺，得到Si－O－N有机聚合物；c.向Si－O－N有机聚合物中通入硼化物，得到Si－B－O－N－C有机聚合物；d.在管式气氛保护炉中，对Si－B－O－N－C有机聚合物进行裂解得到Si－B－O－N－C粉末：e.将所制备的Si－B－O－N－C粉末在真空/气氛热压中烧结得到致密的Si－B－O－N－C陶瓷。本发明制备的Si－B－O－N－C陶瓷具有工艺简单、制备成本低的优点。