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公开(公告)号：CN102864473A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210404116.2
申请日：2012-10-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 三维有序大孔硅或锗薄膜的制备方法，涉及一种大孔薄膜的制备方法。是要解决现有的制备三维有序大孔硅或者锗薄膜的方法所用设备复杂，成本高，所用原料有毒的问题。方法：一、将铜箔用盐酸浸泡，无水乙醇擦拭，将铜箔固定在玻璃基片上，处理；二、使用三电极的电解池，用恒电势法进行电沉积硅或锗；三、取出电解池中的电解液，干燥，滴加偶联剂三乙基氯硅烷浸泡；四、拆卸电解池，滴加四氢呋喃，清洗，干燥，即得到三维有序大孔硅或锗薄膜。本发明的方法无需复杂设备，操作简便，室温即可实现，能耗低。用于锂离子电池的负极材料领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101775660B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201010134372.5
申请日：2010-03-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C30B30/02
Abstract: 电沉积制备三维硅光子晶体的方法，它涉及一种三维硅光子晶体的制备方法。本发明解决现有三维硅光子晶体制备方法填充率低、成本高、无法在室温下实现的问题。本发明的方法：一、制备胶体晶体模板；二、配置电解液；三、在胶体晶体模板上填充还原硅；四、化学腐蚀法去除胶体晶体模板。本发明电沉积方法的填充率达100%，能产生完全光子带隙。得到的三维硅光子晶体具有反蛋白石结构。本发明方法工艺简单，操作方便，设备简单，成本降低，在常温下即可实现。
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公开(公告)号：CN101807613A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010134373.X
申请日：2010-03-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/042 , H01L31/0232 , H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 三维光子晶体为背反射层的非晶硅太阳电池及其制备方法，涉及非晶硅太阳电池及制备方法。解决现有Al背反射层反射率低，导致太阳电池效率低的问题。非晶硅太阳电池的背反射层为三维大孔有序掺铝氧化锌光子晶体。制备方法：低压化学气相沉积前电极层，再采用PECVD沉积P-I-N层，再磁控溅射制备ITO透明导电薄膜，然后垂直沉积法或者旋涂法制备胶体晶体模板，再电沉积得背反射层，然后真空蒸镀背电极层即得。AZO具有可见光高透过率，结合光子晶体的禁带效应，可实现对600~1000nm可见光波段80%及以上的反射率。三维光子晶体反射角大，增加光波在吸收层中传播光程，提高光子利用效率，增加光电流密度和光电转换效率。
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公开(公告)号：CN101807613B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010134373.X
申请日：2010-03-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/042 , H01L31/0232 , H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 三维光子晶体为背反射层的非晶硅太阳电池及其制备方法，涉及非晶硅太阳电池及制备方法。解决现有Al背反射层反射率低，导致太阳电池效率低的问题。非晶硅太阳电池的背反射层为三维大孔有序掺铝氧化锌光子晶体。制备方法：低压化学气相沉积前电极层，再采用PECVD沉积P-I-N层，再磁控溅射制备ITO透明导电薄膜，然后垂直沉积法或者旋涂法制备胶体晶体模板，再电沉积得背反射层，然后真空蒸镀背电极层即得。AZO具有可见光高透过率，结合光子晶体的禁带效应，可实现对600~1000nm可见光波段80%及以上的反射率。三维光子晶体反射角大，增加光波在吸收层中传播光程，提高光子利用效率，增加光电流密度和光电转换效率。
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公开(公告)号：CN101775660A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010134372.5
申请日：2010-03-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C30B30/02
Abstract: 电沉积制备三维硅光子晶体的方法，它涉及一种三维硅光子晶体的制备方法。本发明解决现有三维硅光子晶体制备方法填充率低、成本高、无法在室温下实现的问题。本发明的方法：一、制备胶体晶体模板；二、配置电解液；三、在胶体晶体模板上填充还原硅；四、化学腐蚀法去除胶体晶体模板。本发明电沉积方法的填充率达100%，能产生完全光子带隙。得到的三维硅光子晶体具有反蛋白石结构。本发明方法工艺简单，操作方便，设备简单，成本降低，在常温下即可实现。
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公开(公告)号：CN102864473B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210404116.2
申请日：2012-10-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 三维有序大孔硅或锗薄膜的制备方法，涉及一种大孔薄膜的制备方法。是要解决现有的制备三维有序大孔硅或者锗薄膜的方法所用设备复杂，成本高，所用原料有毒的问题。方法：一、将铜箔用盐酸浸泡，无水乙醇擦拭，将铜箔固定在玻璃基片上，处理；三、使用三电极的电解池，用恒电势法进行电沉积硅或锗；四、取出电解池中的电解液，干燥，滴加偶联剂三乙基氯硅烷浸泡；五、拆卸电解池，滴加四氢呋喃，清洗，干燥，即得到三维有序大孔硅或锗薄膜。本发明的方法无需复杂设备，操作简便，室温即可实现，能耗低。用于锂离子电池的负极材料领域。
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