公开(公告)号：CN115101612B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202210700728.X

申请日：2022-06-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 孙芳魁 ,  丁卫强 ,  安宁 ,  张宇飞 ,  冯睿 ,  曹永印

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/028 ,  H01L31/105

Abstract: 一种硅基双重多量子阱的复合PIN探测器结构，包括P+(1)‑(4)区、N+(1)‑(3)区、深N阱DNW、三层Si/Si0.3Ge0.7应变量子阱、三层Si/Si0.4Ge0.6应变量子阱、本征层P‑EPI和P型衬底P‑SUB。深N阱DNW将探测器分为工作二极管和屏蔽二极管，增加了吸收光子的面积，将来自衬底深处的慢扩散载流子屏蔽，提升响应速度。插指P区和N区形横向电场，扩展了耗尽区面积，提升近表面的光子吸收。减小了载流子渡越距离。三层Si/Si0.3Ge0.7应变量子阱1将载流子限制在载流子迁移率更高的横向电场中的阱中，三层Si/Si0.4Ge0.6应变量子阱2形成的空穴势阱既中和多数慢扩散电子又限制慢扩散空穴的移动大幅提升器件的响应速度。本发明在兼顾力学稳定性同时，具有较高响应度和较短的响应时间。

公开(公告)号：CN113390513B

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202110655660.3

申请日：2021-06-11

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 冯睿 ,  安宁 ,  孙芳魁 ,  丁卫强 ,  曹永印

IPC: G01J5/48 ,  G01J5/24

Abstract: 一种微测辐射热计的三层像元结构，包括光吸收层、热敏层、电极层及其衬底。光吸收层与热敏层之间形成光学谐振腔，通过中空桥柱相连，减小微桥热容。热敏层将热敏电阻层最大化增加对红外透过光的吸收率，电极层将电极桥腿从两端弯曲摆布，增加桥腿的长度，减少热导。热敏层与电极层上下均铺有钝化层，电极桥腿分别与热敏电阻层和衬底相连，实现电学连通和热学连通。本发明在兼顾时间响应常数的同时，具有较高的红外吸收率和较低的热导，有效提高了像元的温升，具有更高的温度响应率和热灵敏度。

公开(公告)号：CN115101612A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210700728.X

申请日：2022-06-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 孙芳魁 ,  丁卫强 ,  安宁 ,  张宇飞 ,  冯睿 ,  曹永印

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/028 ,  H01L31/105

Abstract: 一种硅基双重多量子阱的复合PIN探测器结构，包括P+(1)‑(4)区、N+(1)‑(3)区、深N阱DNW、三层Si/Si0.3Ge0.7应变量子阱、三层Si/Si0.4Ge0.6应变量子阱、本征层P‑EPI和P型衬底P‑SUB。深N阱DNW将探测器分为工作二极管和屏蔽二极管，增加了吸收光子的面积，将来自衬底深处的慢扩散载流子屏蔽，提升响应速度。插指P区和N区形横向电场，扩展了耗尽区面积，提升近表面的光子吸收。减小了载流子渡越距离。三层Si/Si0.3Ge0.7应变量子阱1将载流子限制在载流子迁移率更高的横向电场中的阱中，三层Si/Si0.4Ge0.6应变量子阱2形成的空穴势阱既中和多数慢扩散电子又限制慢扩散空穴的移动大幅提升器件的响应速度。本发明在兼顾力学稳定性同时，具有较高响应度和较短的响应时间。

公开(公告)号：CN113390513A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110655660.3

申请日：2021-06-11

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 冯睿 ,  安宁 ,  孙芳魁 ,  丁卫强 ,  曹永印

IPC: G01J5/00 ,  G01J5/24

Abstract: 一种微测辐射热计的三层像元结构，包括光吸收层、热敏层、电极层及其衬底。光吸收层与热敏层之间形成光学谐振腔，通过中空桥柱相连，减小微桥热容。热敏层将热敏电阻层最大化增加对红外透过光的吸收率，电极层将电极桥腿从两端弯曲摆布，增加桥腿的长度，减少热导。热敏层与电极层上下均铺有钝化层，电极桥腿分别与热敏电阻层和衬底相连，实现电学连通和热学连通。本发明在兼顾时间响应常数的同时，具有较高的红外吸收率和较低的热导，有效提高了像元的温升，具有更高的温度响应率和热灵敏度。