公开(公告)号：CN101696481B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200910073087.4

申请日：2009-10-23

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 孟祥龙 ,  傅宇东 ,  蔡伟

IPC: C22C14/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/14

Abstract: 用于微驱动元件的超高恢复应力Ti-Ni-Cu形状记忆合金薄膜的制备方法，它属于形状记忆合金薄膜领域。本发明解决了现有Ti-Ni-Cu形状记忆合金薄膜不能满足微驱动元件的超高单位体积输出功的问题。Ti-Ni-Cu形状记忆合金薄膜由Ti、Cu和Ni组成。本发明方法如下：洗净玻璃，抽真空，通氩气，以镍、钛、铜作为阴极采用磁控共溅射法进行沉积，再真空热处理后随炉冷却；即得到Ti-Ni-Cu形状记忆合金薄膜。本发明方法制备合金薄膜的晶粒尺寸为50～500nm，厚度为3～10μm，Ti-Ni-Cu形状记忆合金薄膜具有超高恢复应力(高于1GPa)、快响应速度的优点；可满足微驱动元件的小尺寸、超高驱动力的要求。

公开(公告)号：CN102080208A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201010589307.1

申请日：2010-12-15

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 孟祥龙 ,  傅宇东 ,  吴冶 ,  蔡伟

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35

Abstract: Ti-Ni-Hf-Cu四元高温形状记忆合金薄膜及其制备方法，它涉及一种薄膜及其制备方法。本发明解决了现有的形状记忆合金薄膜相变温度低、较脆的问题。制备方法如下：一、将衬底放入真空室靶台上，采用Ti-Ni-Hf-Cu四元合金靶作为靶材，然后溅射，得到薄膜；二、将步骤一得到的薄膜在450℃～750℃的条件下保温30min～60min完成晶化，即得Ti-Ni-Hf-Cu四元高温形状记忆合金薄膜。本发明的Ti-Ni-Hf-Cu四元合金薄膜，其相变温度可达到100℃以上，可在较高温度下应用，力学性能良好，且其成本较三元Ti-Ni-Hf合金薄膜略有下降。

公开(公告)号：CN101696481A

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200910073087.4

申请日：2009-10-23

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 孟祥龙 ,  傅宇东 ,  蔡伟

IPC: C22C14/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/14

Abstract: 超高恢复应力Ti-Ni-Cu形状记忆合金薄膜及其制备方法，它属于形状记忆合金薄膜领域。本发明解决了现有Ti-Ni-Cu形状记忆合金薄膜不能满足微驱动元件的超高单位体积输出功的问题。Ti-Ni-Cu形状记忆合金薄膜由Ti、Cu和Ni组成。本发明方法如下：洗净玻璃，抽真空，通氩气，以镍、钛、铜作为阴极采用磁控共溅射法进行沉积，再真空热处理后随炉冷却；即得到Ti-Ni-Cu形状记忆合金薄膜。本发明方法制备合金薄膜的晶粒尺寸为50～500nm，厚度为3～10μm，Ti-Ni-Cu形状记忆合金薄膜具有超高恢复应力(高于1GPa)、快响应速度的优点；可满足微驱动元件的小尺寸、超高驱动力的要求。