公开(公告)号：CN102807373A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201210341253.6

申请日：2012-09-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶枫 ,  侯赵平 ,  刘强 ,  刘利盟 ,  张海礁

IPC: C04B35/622 ,  C04B35/599

Abstract: 一种多孔β-SiAlON陶瓷的制备方法，它涉及一种多孔陶瓷材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有采用部分烧结法制备得到的多孔β-SiAlON陶瓷存在孔结构分布不均匀，且不能控制孔隙率的问题。方法：一、依照化学式Si6-zAlzOzN8-z准备材料；二、球磨混合得到混合粉末；三、采用崁烯、分散剂和混合粉末球磨得到均匀稳定的崁烯-β-SiAlON浆料；四、冷凝得到凝固的崁烯-β-SiAlON；五、经干燥得到干燥后崁烯-β-SiAlON；六、无压烧结得到多孔β-SiAlON陶瓷。本发明主要用于制备多孔β-SiAlON陶瓷。

公开(公告)号：CN103274693A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310229375.0

申请日：2013-06-06

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶枫 ,  刘强 ,  刘仕超 ,  杨海霞 ,  侯赵平

IPC: C04B35/565 ,  C04B38/00 ,  C04B35/622

Abstract: 一种具有新型孔壁结构的多孔碳化硅陶瓷及其制备方法，本发明涉及多孔碳化硅陶瓷及其制备方法。本发明要解决现有方法制备的多孔碳化硅陶瓷力学性能低、比表面积低的技术问题。该多孔碳化硅陶瓷由碳化硅粉体、烧结助剂、去离子水、分散剂、粘结剂和消泡剂制备；方法：一、制备浆料；二、制备多孔碳化硅陶瓷生坯；三、制备预氧化多孔碳化硅陶瓷坯体；四、制备钡长石原位结合的多孔碳化硅陶瓷；五、高温热处理。本发明制备的多孔陶瓷孔隙率可达20vol%-82vol%，孔径为0.1-300μm；气孔率为48v0l%时，抗弯强度可达63MPa；孔壁中原位生成长棒状碳化硅晶粒。本发明用于制备具有新型孔壁结构的多孔碳化硅陶瓷。

公开(公告)号：CN108484201B

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN201810612020.2

申请日：2018-06-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶枫 ,  侯赵平 ,  张标 ,  叶健 ,  刘强 ,  高晔

IPC: C04B38/00 ,  C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明提供一种低收缩率多孔氮化硅陶瓷及其制备方法，以α‑氮化硅、氧化铝、氧化钇为主要原料，制备水基陶瓷浆料，先在油相中乳化形成球型液滴，而后通过冷冻、油‑陶瓷微球分离、冷冻干燥获得多孔陶瓷微球坯体，然后通过烧结获得多孔氮化硅陶瓷微球，进行粒径分级配比，并经过再模具成型、固化、干燥、烧结，最终获得多孔氮化硅陶瓷，与现有技术相比，本发明的有益效果在于，本发明采用油中滴液与冷冻成型相结合制备不同粒径的多孔氮化硅微球，利用冷冻成型工艺优势实现了孔结构及气孔率的可控；可用于制备大型的多孔氮化硅异形构件，消除了冷冻成型过程中引起的孔结构的方向性；同时，大大降低了烧结过程中收缩过大引起的结构缺陷的可能性。

公开(公告)号：CN108484201A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810612020.2

申请日：2018-06-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶枫 ,  侯赵平 ,  张标 ,  叶健 ,  刘强 ,  高晔

IPC: C04B38/00 ,  C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明提供一种低收缩率多孔氮化硅陶瓷及其制备方法，以α-氮化硅、氧化铝、氧化钇为主要原料，制备水基陶瓷浆料，先在油相中乳化形成球型液滴，而后通过冷冻、油-陶瓷微球分离、冷冻干燥获得多孔陶瓷微球坯体，然后通过烧结获得多孔氮化硅陶瓷微球，进行粒径分级配比，并经过再模具成型、固化、干燥、烧结，最终获得多孔氮化硅陶瓷，与现有技术相比，本发明的有益效果在于，本发明采用油中滴液与冷冻成型相结合制备不同粒径的多孔氮化硅微球，利用冷冻成型工艺优势实现了孔结构及气孔率的可控；可用于制备大型的多孔氮化硅异形构件，消除了冷冻成型过程中引起的孔结构的方向性；同时，大大降低了烧结过程中收缩过大引起的结构缺陷的可能性。

公开(公告)号：CN102807391B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201210312343.2

申请日：2012-08-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶枫 ,  刘强 ,  侯赵平 ,  刘仕超 ,  张海礁

IPC: C04B38/06 ,  C04B35/565 ,  C04B35/622

Abstract: 多孔碳化硅陶瓷的制备方法，它涉及一种碳化硅陶瓷的制备方法。本发明为了解决现有方法制备的多孔碳化硅陶瓷力学性能低、孔隙率低的技术问题。本方法如下：一、制备浆料；二、制备多孔陶瓷生坯；三、制备预制体；四、制备碳凝胶；五、制备多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料；六、制备多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料；七、将多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料与单质硅粉放入烧结炉中烧结，即得多孔碳化硅陶瓷。本发明制备的多孔碳化硅开口孔隙率为30～83％、孔径尺寸为0.3～100m，孔隙可以实现均匀分布或定向排列。通过三点弯曲试验测试，最终制得的孔隙率为47.8％的多孔碳化硅陶瓷材料的抗弯强度达164.62MPa。

公开(公告)号：CN102807391A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201210312343.2

申请日：2012-08-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶枫 ,  刘强 ,  侯赵平 ,  刘仕超 ,  张海礁

IPC: C04B38/06 ,  C04B35/565 ,  C04B35/622

Abstract: 多孔碳化硅陶瓷的制备方法，它涉及一种碳化硅陶瓷的制备方法。本发明为了解决现有方法制备的多孔碳化硅陶瓷力学性能低、孔隙率低的技术问题。本方法如下：一、制备浆料；二、制备多孔陶瓷生坯；三、制备预制体；四、制备碳凝胶；五、制备多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料；六、制备多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料；七、将多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料与单质硅粉放入烧结炉中烧结，即得多孔碳化硅陶瓷。本发明制备的多孔碳化硅开口孔隙率为30～83％、孔径尺寸为0.3～100m，孔隙可以实现均匀分布或定向排列。通过三点弯曲试验测试，最终制得的孔隙率为47.8％的多孔碳化硅陶瓷材料的抗弯强度达164.62MPa。