公开(公告)号：CN108321388A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201810026458.2

申请日：2018-01-11

Applicant: 同济大学

Inventor： 杨金虎 ,  刘光磊 ,  冯楠 ,  孟瑞晋 ,  祖连海 ,  冯宇通

IPC: H01M4/58 ,  H01M10/0525 ,  B82Y30/00 ,  B01J27/043

Abstract: 本发明涉及钛片基底上镍掺杂二硫化铁纳米线阵列结构的合成方法，配制含铁盐、镍盐、硫酸钠及尿素的混合水溶液，投入干净钛片，经水热反应得到了原位生长于钛片基底表面的镍掺杂氢氧化氧铁纳米线阵列；将前驱体置于管式炉中进行高温气相硫化利用氩气进行气氛保护，得到了组装于钛片基底的镍掺杂二硫化铁纳米线阵列。本发明方法操作简便、重复性好，得到的产物结构稳定，能够均匀且坚固地分布在钛片表面，可以直接作为二维电极材料应用于电化学设备中，同时经电解水测试，发现镍的掺杂大幅度提升了二硫化铁的电催化产氢活性及稳定性，而且有望进一步促进其在储能、光催化等领域的性能提升，扩展其应用范围。

公开(公告)号：CN108321388B

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201810026458.2

申请日：2018-01-11

Applicant: 同济大学

Inventor： 杨金虎 ,  刘光磊 ,  冯楠 ,  孟瑞晋 ,  祖连海 ,  冯宇通

IPC: H01M4/58 ,  H01M10/0525 ,  B82Y30/00 ,  B01J27/043

Abstract: 本发明涉及钛片基底上镍掺杂二硫化铁纳米线阵列结构的合成方法，配制含铁盐、镍盐、硫酸钠及尿素的混合水溶液，投入干净钛片，经水热反应得到了原位生长于钛片基底表面的镍掺杂氢氧化氧铁纳米线阵列；将前驱体置于管式炉中进行高温气相硫化利用氩气进行气氛保护，得到了组装于钛片基底的镍掺杂二硫化铁纳米线阵列。本发明方法操作简便、重复性好，得到的产物结构稳定，能够均匀且坚固地分布在钛片表面，可以直接作为二维电极材料应用于电化学设备中，同时经电解水测试，发现镍的掺杂大幅度提升了二硫化铁的电催化产氢活性及稳定性，而且有望进一步促进其在储能、光催化等领域的性能提升，扩展其应用范围。