公开(公告)号：CN115602617A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210007296.4

申请日：2022-01-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司(TW)

Inventor： 苏嘉伟 ,  吴佳典 ,  陈欣苹 ,  眭晓林

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种用于制造半导体结构的方法，其包含形成多个彼此分隔开的虚设结构；形成多个介电间隔件，所述介电间隔件侧向覆盖所述虚设结构，以形成多个由所述介电间隔件所界定出的沟槽；将导电材料填入所述沟槽，以形成导电特征件；于所述导电特征件上选择性沉积罩盖材料，以形成罩盖层；移除所述虚设结构，以形成多个由所述介电间隔件所界定出的凹槽；将牺牲材料填入所述凹槽内，以形成牺牲特征件；于所述牺牲特征件上沉积维持层；以及移除所述牺牲特征件，以形成由所述维持层与所述介电间隔件所局限的气隙。

公开(公告)号：CN115602628A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210009184.2

申请日：2022-01-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司(TW)

Inventor： 朱韦臻 ,  吴佳典 ,  苏嘉伟 ,  廖御傑 ,  李佳蓁 ,  陈欣苹 ,  眭晓林

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体结构，包括基板、介电层、第一导电特征件和第二导电特征件。该基板包括半导体器件。该介电层设置于该基板上。该第一导电特征件形成于该介电层中。该第二导电特征件穿透该第一导电特征件与该介电层，且电连接至该第一导电特征件与该半导体器件。