公开(公告)号：CN110658169A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910975428.0

申请日：2019-10-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 郭自泉 ,  刘必靖 ,  杨宸 ,  林苡 ,  吕毅军 ,  高玉琳 ,  陈忠

IPC: G01N21/64 ,  G01J3/443

Abstract: 基于高光谱的荧光粉发光特性透射式测试装置和方法，涉及发光器件领域，包括LED激发光源、荧光粉片、三维控制台、恒流源、控温模块、显微镜、高光谱仪和计算机；LED激发光源设于三维控制台上；恒流源连接LED激发光源；控温模块设于三维控制台上；荧光粉片置于LED激发光源的正上方；显微镜设于荧光粉片的上方；高光谱仪设于显微镜的上方，高光谱仪用于收集和处理显微镜透过的光并得到高光谱数据；计算机连接高光谱仪，计算机用于将接收的高光谱数据进行计算得到二维几何空间的荧光粉光学参数。可精确得到荧光粉像素级别的发光图像以及获得相应像素点上的光谱数据，从而精确地得到荧光粉微米尺度空间上发光特性。

公开(公告)号：CN110057466A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201910367131.6

申请日：2019-05-05

Applicant: 厦门大学

Inventor： 郭自泉 ,  林苡 ,  杨宸 ,  吕毅军 ,  高玉琳 ,  朱丽虹 ,  陈国龙 ,  阮育娇 ,  康品春 ,  林岳 ,  王冬 ,  陈忠

IPC: G01K11/32

Abstract: 一种基于LED荧光发射光谱的表面温度测量方法，涉及发光二极管表面温度的测量方法领域，包括以下步骤：(1)将荧光材料归一化后的发射光谱先进行区域划分再对各区域积分，所得到的荧光材料发射功率记为Pe；(2)测试各积分区域发射功率Pe受电流影响的程度，选取受电流影响程度最小的积分区域为检测区域；(3)以额定电流值的1％～3％为小电流为LED样品供电，并用光谱仪采集荧光材料的发射光谱，建立检测区域的发射功率Pe与荧光材料温度T的线性关系；(4)在LED样品的实际工作状态下，将检测区域的发射功率Pe值带入到Pe与T的关系式中，即可得到荧光材料的表面温度。本发明采用非接触式方法测量荧光材料的表面温度，不受LED器件封装的影响，可靠性高。

公开(公告)号：CN113551797A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202110860649.0

申请日：2021-07-28

Applicant: 厦门大学

Inventor： 郭自泉 ,  李智慧 ,  朱方圆 ,  陈慧敏 ,  杨宸 ,  吕毅军 ,  陈忠

IPC: G01K11/12

Abstract: 一种LED荧光粉表面二维温度分布的测试方法，包括以下步骤：1)将荧光粉涂敷型LED放置在控温台上，控制控温台的温度至少取3个温度点，同时给样品通以小电流点亮；2)通过高倍数显微镜对测试样品进行聚焦，通过光纤光谱仪结合高倍显微镜收集每个像素点的光谱，并计算每个像素点可见光波长[λ1,λ2]范围内的归一化荧光粉光谱，获取每个像素点归一化光功率；3)通过对多组温度下的多个光谱图像分别进行每个像素点位置的最小二乘法线性处理，获得校准系数和截距；4)以额定电流点亮样品，重复步骤2)，根据归一化光功率和斜率求得荧光粉表面温度矩阵；最后，进行降噪处理及修复异常点，最终获取准确的荧光粉表面二维温度分布。

公开(公告)号：CN110658169B

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN201910975428.0

申请日：2019-10-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 郭自泉 ,  刘必靖 ,  杨宸 ,  林苡 ,  吕毅军 ,  高玉琳 ,  陈忠

IPC: G01N21/64 ,  G01J3/443

Abstract: 基于高光谱的荧光粉发光特性透射式测试装置和方法，涉及发光器件领域，包括LED激发光源、荧光粉片、三维控制台、恒流源、控温模块、显微镜、高光谱仪和计算机；LED激发光源设于三维控制台上；恒流源连接LED激发光源；控温模块设于三维控制台上；荧光粉片置于LED激发光源的正上方；显微镜设于荧光粉片的上方；高光谱仪设于显微镜的上方，高光谱仪用于收集和处理显微镜透过的光并得到高光谱数据；计算机连接高光谱仪，计算机用于将接收的高光谱数据进行计算得到二维几何空间的荧光粉光学参数。可精确得到荧光粉像素级别的发光图像以及获得相应像素点上的光谱数据，从而精确地得到荧光粉微米尺度空间上发光特性。

公开(公告)号：CN110057466B

公开(公告)日：2020-03-20

申请号：CN201910367131.6

申请日：2019-05-05

Applicant: 厦门大学

Inventor： 郭自泉 ,  林苡 ,  杨宸 ,  吕毅军 ,  高玉琳 ,  朱丽虹 ,  陈国龙 ,  阮育娇 ,  康品春 ,  林岳 ,  王冬 ,  陈忠

IPC: G01K11/32

Abstract: 一种基于LED荧光发射光谱的表面温度测量方法，涉及发光二极管表面温度的测量方法领域，包括以下步骤：(1)将荧光材料归一化后的发射光谱先进行区域划分再对各区域积分，所得到的荧光材料发射功率记为Pe；(2)测试各积分区域发射功率Pe受电流影响的程度，选取受电流影响程度最小的积分区域为检测区域；(3)以额定电流值的1％～3％为小电流为LED样品供电，并用光谱仪采集荧光材料的发射光谱，建立检测区域的发射功率Pe与荧光材料温度T的线性关系；(4)在LED样品的实际工作状态下，将检测区域的发射功率Pe值带入到Pe与T的关系式中，即可得到荧光材料的表面温度。本发明采用非接触式方法测量荧光材料的表面温度，不受LED器件封装的影响，可靠性高。