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公开(公告)号：CN114975785B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202210438464.5
申请日：2022-04-25
Abstract: 本发明公开了太阳能电池电子传输层及其制备方法。含硫修饰的锡酸锌复合电子传输层的钙钛矿太阳能电池包括依次叠加的导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和背电极层；其中锡酸锌采用低温水热法合成，再将得到的锡酸锌纳米颗粒分散，之后在锡酸锌纳米颗粒分散液中掺入微量硫脲，采用硫掺杂对于锡酸锌纳米颗粒进行原位修饰；之后通过刮涂、低温退火在导电基底上制备得到硫修饰的锡酸锌电子传输层。硫修饰的锡酸锌电子传输层能够促进钙钛矿成膜，提高钙钛矿电池及模组器件效率，器件的重复性、稳定性也得到明显提升。
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公开(公告)号：CN114975785A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210438464.5
申请日：2022-04-25
Abstract: 本发明公开了太阳能电池电子传输层及其制备方法。含硫修饰的锡酸锌复合电子传输层的钙钛矿太阳能电池包括依次叠加的导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和背电极层；其中锡酸锌采用低温水热法合成，再将得到的锡酸锌纳米颗粒分散，之后在锡酸锌纳米颗粒分散液中掺入微量硫脲，采用硫掺杂对于锡酸锌纳米颗粒进行原位修饰；之后通过刮涂、低温退火在导电基底上制备得到硫修饰的锡酸锌电子传输层。硫修饰的锡酸锌电子传输层能够促进钙钛矿成膜，提高钙钛矿电池及模组器件效率，器件的重复性、稳定性也得到明显提升。
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公开(公告)号：CN116322074A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310064761.2
申请日：2023-01-12
Abstract: 本发明涉及钙钛矿光电器件技术领域，特别涉及一种含磷物质体相修饰电子传输层的钙钛矿光电器件及其制备方法。该含磷物质体相修饰电子传输层的钙钛矿光电器件包括依次叠加的导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层以及背电极；所述电子传输层材质为体相掺杂有磷元素的电子传输材料。本发明采用含磷物质体相修饰电子传输层制备钙钛矿光电器件，通过含磷物质体相修饰电子传输层设计，可以有效地减少钙钛矿光电器件中电子传输层体相、界面中的缺陷，从而可以有效地降低钙钛矿光电器件的非辐射复合，提高器件的光电性能及稳定性。
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公开(公告)号：CN116056535A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310063788.X
申请日：2023-01-12
Abstract: 本发明涉及钙钛矿光电器件技术领域，特别涉及一种电子传输层、红外热处理制备电子传输层的方法、钙钛矿光电器件及其制备方法。该红外热处理制备电子传输层的方法包括以下制备步骤：将电子传输材料前驱液涂覆到基底上形成涂层，而后采用近红外辐射涂层以完成加热退火处理，制得电子传输层。本发明采用近红外辐射加热退火方式，不会出现传统热板退火容易出现的随着模组面积增大导致电子传输层受热不均，从而影响电子传输层质量的情况；制得的电子传输层结构致密无孔洞，厚度均匀可控，增强了钙钛矿吸光层结晶性和钙钛矿晶粒尺寸分布均匀性，从而提高了钛矿光电器件的光电性能和稳定性，具有低生产成本、高效率、工艺简便、可控性和可重复性高的优点。
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公开(公告)号：CN114214060A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111502580.0
申请日：2021-12-09
Abstract: 本发明公开了一种高稳定钙钛矿量子点及其制备方法。该量子点具有CsPbX3+SF@SiO2结构，其中，X为Cl、Br、I中的一种或几种，所述的SF为磺酸根，量子点的粒径范围在5‑15nm之间，制备时，首先将油酸铯溶液在合适的温度下注入含有硅烷偶联剂的前驱体溶液以获得量子点原液，经过冷却后氮气氛围下向上述量子点原液中添加适量或磺酸类有机盐，充分搅拌低速离心，取上清液在环境条件下充分水解，离心后获得原位表面修饰与封装的量子点。与现有的钙钛矿量子点制备技术相比，该方法一步表面修饰和封装，工艺简单高效兼具成本较低，适于工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114214060B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202111502580.0
申请日：2021-12-09
Abstract: 本发明公开了一种高稳定钙钛矿量子点及其制备方法。该量子点具有CsPbX3+SF@SiO2结构，其中，X为Cl、Br、I中的一种或几种，所述的SF为磺酸根，量子点的粒径范围在5‑15nm之间，制备时，首先将油酸铯溶液在合适的温度下注入含有硅烷偶联剂的前驱体溶液以获得量子点原液，经过冷却后氮气氛围下向上述量子点原液中添加适量或磺酸类有机盐，充分搅拌低速离心，取上清液在环境条件下充分水解，离心后获得原位表面修饰与封装的量子点。与现有的钙钛矿量子点制备技术相比，该方法一步表面修饰和封装，工艺简单高效兼具成本较低，适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN116322233A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310063984.7
申请日：2023-01-12
Abstract: 本发明涉及钙钛矿光电器件技术领域，特别涉及一种电子传输层、近红外预热处理基底制备电子传输层的方法、钙钛矿光电器件及其制备方法。该近红外预热处理基底制备电子传输层的方法包括以下制备步骤：先将基底预热，而后将电子传输层前驱液涂覆于预热完成的基底上形成涂层，对涂层进行加热退火处理，制得电子传输层；通过将电子传输材料于溶剂中均匀分散制得电子传输层前驱液，电子传输材料为n型半导体氧化物。本发明采用基底预热的方法，改善基底对电子传输层前驱体的浸润性，制得的电子传输层致密无孔洞，厚度均匀且可控，能够有效减少电子传输层制备过程中的缺陷和孔洞，改善电子传输层和钙钛矿吸光层的界面缺陷，提高器件的光电性能。
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公开(公告)号：CN119886018A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411990482.X
申请日：2024-12-31
Applicant: 厦门大学
IPC: G06F30/367 , G06F119/06 , G06F119/08 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池组件阵列仿真模型的组建方法，包括：构建钙钛矿电池理想等效电路模型；在钙钛矿电池理想等效电路模型的基础上构建钙钛矿电池等效工程模型；在钙钛矿电池等效工程模型的基础上采用仿真工具Matlab中Simulink模块构建钙钛矿电池组件阵列模型；对钙钛矿电池组件阵列模型进行修正，得到钙钛矿电池组件阵列的定量修正模型；将钙钛矿电池组件阵列的定量修正模型进行simulink行为级实现，得到钙钛矿太阳能电池组件阵列仿真模型。该钙钛矿太阳能电池组件阵列仿真模型能实现对钙钛矿电池组件阵列行为的精确预测，为推动钙钛矿太阳能电池技术商业化给出了一定指导。
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公开(公告)号：CN112467038B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202011532288.9
申请日：2020-12-22
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供一种钝化钙钛矿薄膜层的方法，通过制备钙钛矿前驱体溶液；预处理导电玻璃/电子传输层构成的基底；将所述钙钛矿前驱体溶液涂覆于所述基底并加热，以生成钙钛矿薄膜层；以及用含氟磺酸盐在所述钙钛矿薄膜层进一步钝化修饰，形成含氟磺酸盐修饰的钙钛矿薄膜层。本发明提出的钝化钙钛矿薄膜层的方法，使钝化后的钙钛矿薄膜层具有优异的稳定性，低缺陷态密度和长载流子寿命，并且以本发明方法制备的钙钛矿薄膜层所组装的太阳能电池，其转换效率和稳定性明显提升。
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公开(公告)号：CN116801690A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310922031.1
申请日：2023-07-26
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种金属离子渐变掺杂氧化镍空穴传输层及其制备方法，该备方法包括以下步骤：第一步：将镍盐溶解于绿色溶剂中制备成NiOx前驱液1，并按照比例在前驱液1中掺入其他金属盐制备成前驱液2；第二步：使用前驱液2制备金属离子掺杂氧化镍层；第三步：使用前驱液1制备氧化镍无掺杂层；第四步：对双层空穴传输层进行高温后处理使下层掺杂离子向上迁移形成渐变结构。本发明制备的金属离子渐变掺杂的NiOx空穴传输层具有较高的空穴迁移能力，同时也能够避免掺杂离子引入对钙钛矿的破坏，进而提升器件的效率和稳定性。本发明提供的氧化镍空穴传输材料，可以应用于光电器件，尤其是倒置结构钙钛矿太阳能电池中的空穴传输层。
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