公开(公告)号：CN109560054A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811541540.5

申请日：2018-12-17

Applicant: 厦门大学

Inventor： 马盛林 ,  夏雁鸣 ,  胡鑫欣 ,  蔡涵 ,  陈兢 ,  李轩杨

IPC: H01L23/427 ,  B81C3/00

Abstract: 本发明提出了一种应用于芯片散热的金属微通道热沉结构及其制造方法，通过三维垂直结构微流道系统设计，微流体从封装壳体底层流入后拾阶而上分流冷却大功率射频芯片热点然后拾阶而下流出，实现了高密度芯片的同时高效散热的功能，解决了传统微流道低导热性及金属微流道制造工艺兼容性等难题，具有重要意义。

公开(公告)号：CN209418488U

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201822115274.1

申请日：2018-12-17

Applicant: 厦门大学

Inventor： 马盛林 ,  夏雁鸣 ,  胡鑫欣 ,  蔡涵 ,  陈兢 ,  李轩杨

IPC: H01L23/427 ,  B81C3/00

Abstract: 本实用新型提出了一种应用于芯片散热的金属微通道热沉结构，通过三维垂直结构微流道系统设计，微流体从封装壳体底层流入后拾阶而上分流冷却大功率射频芯片热点然后拾阶而下流出，实现了高密度芯片的同时高效散热的功能，解决了传统微流道低导热性及金属微流道制造工艺兼容性等难题，具有重要意义。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利