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公开(公告)号：CN110922191A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911327806.0
申请日：2019-12-20
Applicant: 厦门大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 一种碳化硅聚合物先驱体陶瓷缺陷愈合方法，涉及陶瓷材料制备。将PCS粉末、VTES与卡斯特催化剂溶解于二甲苯中得二甲苯溶液，将GO粉末分散于水中得水溶液；将二甲苯溶液和水溶液混合，水浴加热并用磁力搅拌器搅拌，反应后静置，取上层液体旋蒸后研磨，得先驱体PVG粉末，模压成型后得SiC(rGO)素坯，将素坯置于气氛管式炉内氩气气氛下高温烧结，随炉冷却后即得黑色3D-SiC(rGO)陶瓷，然后浸没于分子量较小的液态聚碳硅烷先驱体中，浸渍后取出晾干，于氩气气氛中高温裂解，重复多次后即得浸渍3D-SiC(rGO)陶瓷，在不同温度下于空气中高温氧化，即得愈合3D-SiC(rGO)陶瓷。
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公开(公告)号：CN110467467A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910826944.7
申请日：2019-09-03
Applicant: 厦门大学
IPC: C04B35/571 , C04B35/577 , C04B35/622
Abstract: 一种块体碳化硅聚合物先驱体陶瓷及共混再裂解制备方法，涉及陶瓷材料制备。所述块体碳化硅聚合物先驱体陶瓷命名为3D-SiC(rGO)陶瓷，由β-SiC、SiOxCy、SiO2、rGO和游离碳组成，其中β-SiC纳米晶弥散分布于复合rGO的SiOxCy/Cfree无定形相中，SiO2晶粒镶嵌于β-SiC/SiOxCy/Cfree基体中。该陶瓷以自制改性聚合物先驱体聚碳硅烷-乙烯基三乙氧基硅烷-氧化石墨烯为原料，与该先驱体裂解后获得的SiC(rGO)p粉末按比例混合、球磨、再裂解制得。具有较高陶瓷产率和较低线性收缩率，硬度和断裂韧性表现好，微观结构均匀致密，较少孔隙、微裂纹和界面，实用性和可靠性强。
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公开(公告)号：CN110922191B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201911327806.0
申请日：2019-12-20
Applicant: 厦门大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 一种碳化硅聚合物先驱体陶瓷缺陷愈合方法，涉及陶瓷材料制备。将PCS粉末、VTES与卡斯特催化剂溶解于二甲苯中得二甲苯溶液，将GO粉末分散于水中得水溶液；将二甲苯溶液和水溶液混合，水浴加热并用磁力搅拌器搅拌，反应后静置，取上层液体旋蒸后研磨，得先驱体PVG粉末，模压成型后得SiC(rGO)素坯，将素坯置于气氛管式炉内氩气气氛下高温烧结，随炉冷却后即得黑色3D‑SiC(rGO)陶瓷，然后浸没于分子量较小的液态聚碳硅烷先驱体中，浸渍后取出晾干，于氩气气氛中高温裂解，重复多次后即得浸渍3D‑SiC(rGO)陶瓷，在不同温度下于空气中高温氧化，即得愈合3D‑SiC(rGO)陶瓷。
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公开(公告)号：CN110467467B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201910826944.7
申请日：2019-09-03
Applicant: 厦门大学
IPC: C04B35/571 , C04B35/577 , C04B35/622
Abstract: 一种块体碳化硅聚合物先驱体陶瓷及共混再裂解制备方法，涉及陶瓷材料制备。所述块体碳化硅聚合物先驱体陶瓷命名为3D‑SiC(rGO)陶瓷，由β‑SiC、SiOxCy、SiO2、rGO和游离碳组成，其中β‑SiC纳米晶弥散分布于复合rGO的SiOxCy/Cfree无定形相中，SiO2晶粒镶嵌于β‑SiC/SiOxCy/Cfree基体中。该陶瓷以自制改性聚合物先驱体聚碳硅烷‑乙烯基三乙氧基硅烷‑氧化石墨烯为原料，与该先驱体裂解后获得的SiC(rGO)p粉末按比例混合、球磨、再裂解制得。具有较高陶瓷产率和较低线性收缩率，硬度和断裂韧性表现好，微观结构均匀致密，较少孔隙、微裂纹和界面，实用性和可靠性强。
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