公开(公告)号：CN114822987B

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202210428405.X

申请日：2022-04-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张洪良 ,  杨露 ,  张佳业 ,  石崛立

IPC: H01B13/00 ,  H01B5/14 ,  C30B29/22 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开了一种紫外‑可见‑近红外透明的高导电性Ta掺杂SnO2薄膜的制备方法，其包括如下步骤：将SnO2和Ta2O5多晶粉末混合，使用固体烧结法，获得Ta掺杂SnO2多晶靶材；在少量氧气存在的条件下，以所述Ta掺杂SnO2为靶材，利用脉冲激光沉积法在Al2O3衬底上生长所述薄膜。本发明制得的Ta掺杂SnO2薄膜室温导电性可超过6000S/cm，迁移率为75cm2/Vs，最高载流子浓度可达8.1×1020cm‑3，且在可见光区(1.4‑3.3eV)透过率超过90％，在紫外‑可见‑近红外光范围(0.75‑4.2eV)总透过率超过80％。本发明可作为透明导电氧化物材料，可应用于触摸显示屏、太阳能电池、气体传感器等多种现代关键技术。

公开(公告)号：CN114582710A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202210157616.4

申请日：2022-02-21

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张洪良 ,  杨珍妮 ,  张佳业 ,  徐翔宇

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/443 ,  H01L29/45 ,  C30B28/02 ,  C30B29/16 ,  C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明提供一种氧化镓深紫外透明电极的制备及其功函数调控的方法，包括如下步骤：(1)将高纯SiO2和Ga2O3粉末或SiO2、Ga2O3和In2O3粉末充分研磨后倒入等静压成型模具，压制成片状靶材；(2)压制好的靶材置于高温马弗炉内，通过固相烧结制备硅掺杂氧化镓或硅掺杂铟镓氧化物的多晶靶材；(3)在氧气条件下，利用脉冲激光沉积法在氧化铝衬底上生长(SixGa1‑x)2O3或(SixInyGa1‑x‑y)2O3薄膜，其中0.0001≤x≤0.05，0.01≤y≤0.2。本发明所制得的薄膜具有良好的导电性和深紫外透明性，满足深紫外透明电极的需求；同时采用氧化铝衬底，价格低廉，与现有的工业设备及技术兼容度高，可实现商业化生产；铟的引入能够增大薄膜材料的功函数，有效增强氧化镓半导体器件的欧姆接触。

公开(公告)号：CN113981370A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111198821.7

申请日：2021-10-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张洪良 ,  张佳业 ,  杨珍妮 ,  徐翔宇

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  C30B29/22 ,  C30B28/02 ,  H01B1/08 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明提供一种深紫外透明的高导电性Si掺杂Ga2O3薄膜及其制备方法，其包括如下步骤：将SiO2和Ga2O3多晶粉末混合，使用固体烧结法，获得Si掺杂Ga2O3多晶靶材；在少量氧气存在的条件下，以所述Si掺杂Ga2O3多晶靶材为靶材，利用脉冲激光沉积法在Ga2O3衬底上获得所述薄膜。本发明制得的薄膜具备超高导电率和深紫外透过率的特性。本发明可解决目前深紫外透明的高导电性薄膜缺乏的问题，可作为电子注入(收集)层助力AlGaN的深紫外光电器件、有机基电子器件和基于Ga2O3的功率电子器件的效率提升。

公开(公告)号：CN113921627A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202111102849.6

申请日：2021-09-18

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张洪良 ,  陈文山 ,  徐翔宇 ,  况思良 ,  张佳业

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明公开了一种(InxGa1‑x)2O3日盲紫外光电探测器及其制备方法，其光灵敏性达到108，探测率达到2×1016‑5×1016Jones，包括一c‑Al2O3衬底，该c‑Al2O3衬底上通过PLD生长形成一厚度为0.1‑0.5μm的(InxGa1‑x)2O3薄膜，该(InxGa1‑x)2O3薄膜上设有叉指电极，其中0.05≤x≤0.1。本发明将Ga2O3和In2O3合金化，In的引入有效降低了器件的暗电流，提高了器件的光响应，使器件的光电性能得到大幅度提升，实现超高灵敏度和超高探测率，使得本发明所制备的器件对日盲光具有极高灵敏性，能够识别极其微弱的日盲紫外信号，不受可见光影响，具备全天候型的日盲紫外光探测能力。

公开(公告)号：CN115000228B

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202210521145.0

申请日：2022-05-13

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张洪良 ,  徐翔宇 ,  张佳业 ,  陈文山

IPC: H01L31/102 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种超大光电流同时兼顾超高探测率的Ga2O3薄膜有源日盲紫外探测器及其制备方法。本发明是通过脉冲激光沉积技术(PLD)在蓝宝石衬底上外延生长一层Ga2O3薄膜，随后通过特定的退火工艺以及微纳加工工艺完成的。本发明所制备的有源日盲紫外光电探测器仅对日盲区的深紫外线有显著的光电响应，器件工作时具备超大的光电流和超高的探测率，工况性能稳定，可用于解决火情监测，导弹尾焰追踪、高压电晕探测等涉及日盲紫外信号探测的技术难题。

公开(公告)号：CN115000228A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210521145.0

申请日：2022-05-13

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张洪良 ,  徐翔宇 ,  张佳业 ,  陈文山

IPC: H01L31/102 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种超大光电流同时兼顾超高探测率的Ga2O3薄膜有源日盲紫外探测器及其制备方法。本发明是通过脉冲激光沉积技术(PLD)在蓝宝石衬底上外延生长一层Ga2O3薄膜，随后通过特定的退火工艺以及微纳加工工艺完成的。本发明所制备的有源日盲紫外光电探测器仅对日盲区的深紫外线有显著的光电响应，器件工作时具备超大的光电流和超高的探测率，工况性能稳定，可用于解决火情监测，导弹尾焰追踪、高压电晕探测等涉及日盲紫外信号探测的技术难题。

公开(公告)号：CN114822987A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210428405.X

申请日：2022-04-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张洪良 ,  杨露 ,  张佳业 ,  石崛立

IPC: H01B13/00 ,  H01B5/14 ,  C30B29/22 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开了一种紫外‑可见‑近红外透明的高导电性Ta掺杂SnO2薄膜的制备方法，其包括如下步骤：将SnO2和Ta2O5多晶粉末混合，使用固体烧结法，获得Ta掺杂SnO2多晶靶材；在少量氧气存在的条件下，以所述Ta掺杂SnO2为靶材，利用脉冲激光沉积法在Al2O3衬底上生长所述薄膜。本发明制得的Ta掺杂SnO2薄膜室温导电性可超过6000S/cm，迁移率为75cm2/Vs，最高载流子浓度可达8.1×1020cm‑3，且在可见光区(1.4‑3.3eV)透过率超过90％，在紫外‑可见‑近红外光范围(0.75‑4.2eV)总透过率超过80％。本发明可作为透明导电氧化物材料，可应用于触摸显示屏、太阳能电池、气体传感器等多种现代关键技术。