公开(公告)号：CN119785938A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411861150.1

申请日：2024-12-17

Applicant: 厦门大学

Inventor： 闫成 ,  陈景润 ,  刘策 ,  许可晗 ,  毛建兴 ,  庄昕伟 ,  蒋康河

IPC: G16C60/00 ,  G06F30/23 ,  G06F30/17 ,  G06F111/04 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明公开了一种考虑界面应力约束的双材料结构拓扑优化方法，该方法引入了界面标记密度的概念，通过Heaviside函数对单元的过滤密度进行映射，得到界面标记密度，并基于界面标记密度建立界面识别函数，通过界面识别函数可识别单元是否同时含有两种材料，从而构建了一种在优化过程中可以实时地识别不同材料界面域的方法，为后续界面性能的控制奠定了基础。该优化方法中还基于对材料界面域的识别提出了在界面域内对界面性能进行约束控制的方法，在进行约束控制时，采用的界面域单元弹性系数矩阵插值方式，能够更合理地反应界面单元的性质，从而可基于该插值模型计算界面应力，更好地实现对界面应力的约束控制。