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公开(公告)号:CN114597303A
公开(公告)日:2022-06-07
申请号:CN202210184209.2
申请日:2022-02-23
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/50 , H01L25/075 , G09F9/33
Abstract: 本发明公开了一种可抑制咖啡环效应的颜色转换层,包括基板、封装盖板和量子点层;基板的上表面设有若干第一凹槽,量子点层包括一一形成于第一凹槽内的量子点单元;封装盖板键合于基板上,具有与第一凹槽配合的盖板单元,盖板单元分布有若干挥发孔,其中中心区域的挥发孔的分布密度大于边缘区域;基板的底部对应第一凹槽中心区域的热导率大于边缘区域。本发明还公开了其制作方法和应用。通过将设计有挥发通道的封装盖板与基板键合和对基板底部受热面的设计,实现了对溶剂挥发速率调控进而抑制咖啡环的目的,使量子点图案形貌更加规则、良好。
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公开(公告)号:CN112235047A
公开(公告)日:2021-01-15
申请号:CN202011099131.1
申请日:2020-10-14
Applicant: 厦门大学
IPC: H04B10/116 , H04B10/50 , H04B10/516 , H04B10/66
Abstract: 一种基于可见光通信的屏幕双向通信系统,涉及可见光通信系统。设信号处理模块、信号编码模块、信号解码模块、电路判决模块、发送电路驱动模块、接收电路驱动模块、LED屏幕模块以及光偏振模块;信号处理模块设信号处理器,信号编码模块输入端与信号处理模块连接,发送电路驱动模块设LED发送驱动电路与信号调制电路,LED屏幕模块由RGB三色LED组成;光偏振模块包含偏振片,偏振片贴在LED屏幕模块的表面;接收电路驱动模块设LED接收驱动电路、信号解调电路;信号解码模块的与接收电路驱动模块相连,将解调电路的输出信号还原为原始传输信号。LED屏幕可实时切换为发送端和接收端,无需额外添加光电探测器,简化通信系统。
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公开(公告)号:CN119814097A
公开(公告)日:2025-04-11
申请号:CN202510027531.8
申请日:2025-01-08
Applicant: 厦门大学
IPC: H04B7/0456 , H04L27/34
Abstract: 本发明公开了一种降低微型LED光通信系统峰值平均功率比的方法及装置,包括:在VLC系统的发射端通过预编码矩阵分别对第一用户的调制数据和第二用户的调制数据进行预编码,分别得到第一用户的预编码输出信号和第二用户的预编码输出信号;基于功率分配因子以及第一用户的预编码输出信号和第二用户的预编码输出信号的总功率对第一用户的预编码输出信号和第二用户的预编码输出信号进行组合计算,得到预编码频域信号;将预编码频域信号扩展为具有Hermitian对称性的扩展频域信号,对扩展频域信号进行快速傅里叶逆变换,得到预编码时域信号;对预编码时域信号进行μ律压缩处理,得到压缩信号,根据压缩信号计算得到峰值平均功率比。本发明能够有效降低PAPR。
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公开(公告)号:CN114967316A
公开(公告)日:2022-08-30
申请号:CN202210513754.1
申请日:2022-05-12
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种制备半导体垂直剖面结构的光刻方法的制备方法,根据光刻图形设计分隔构件,所述分隔构件包括罩板,罩板具有遮蔽区和镂空区,镂空区周缘垂直向下延伸形成隔板;在半导体基板表面涂覆光刻胶后放置分隔构件,并使隔板嵌入光刻胶中将光刻胶对应遮蔽区和对应镂空区的部分物理隔开,然后进行曝光、显影以及后续的蚀刻工艺。通过分隔构件物理隔离需曝光部分的光刻胶,可实现九十度的垂直剖面,实现了低成本,高精度的光刻工艺。
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公开(公告)号:CN114927600A
公开(公告)日:2022-08-19
申请号:CN202210574620.0
申请日:2022-05-25
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微流控技术的MicroLED全彩化显示器件结构与制备方法,是将减薄后的MicroLED芯片阵列的衬底作为基板,在衬底上蚀刻出与MicroLED单元一一对应的凹坑,将微流控盖板与衬底相压合直接在衬底上完成了微流控芯片的制备,然后注入量子点溶液在衬底的凹坑中形成色转换层,省去了微流控芯片基板,省去了量子点色转换层与MicroLED芯片阵列进行键合等步骤。本发明简化了制备工艺、节省了原料,同时提高了色转换的效率。
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公开(公告)号:CN114597302A
公开(公告)日:2022-06-07
申请号:CN202210169794.9
申请日:2022-02-23
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/50 , H01L25/075 , G09F9/33
Abstract: 本发明公开了一种量子点色转换层的制备方法,通过制作微流控芯片,在微流控芯片的微通道内引入了凹槽和疏水性物质,解决了制备颜色转换层中易出现的量子点层厚度及形状不可控、混色等现象。同时,通过对封装层的设计使颜色转换层激发光的品质得到有效提升,防止光串扰的发生。本发明还公开了通过上述制备方法得到的量子点色转换层及其在MicroLED显示器件中的应用。
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公开(公告)号:CN114967316B
公开(公告)日:2024-09-27
申请号:CN202210513754.1
申请日:2022-05-12
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种制备半导体垂直剖面结构的光刻方法的制备方法,根据光刻图形设计分隔构件,所述分隔构件包括罩板,罩板具有遮蔽区和镂空区,镂空区周缘垂直向下延伸形成隔板;在半导体基板表面涂覆光刻胶后放置分隔构件,并使隔板嵌入光刻胶中将光刻胶对应遮蔽区和对应镂空区的部分物理隔开,然后进行曝光、显影以及后续的蚀刻工艺。通过分隔构件物理隔离需曝光部分的光刻胶,可实现九十度的垂直剖面,实现了低成本,高精度的光刻工艺。
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公开(公告)号:CN114597303B
公开(公告)日:2024-06-25
申请号:CN202210184209.2
申请日:2022-02-23
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/50 , H01L25/075 , G09F9/33
Abstract: 本发明公开了一种可抑制咖啡环效应的颜色转换层,包括基板、封装盖板和量子点层;基板的上表面设有若干第一凹槽,量子点层包括一一形成于第一凹槽内的量子点单元;封装盖板键合于基板上,具有与第一凹槽配合的盖板单元,盖板单元分布有若干挥发孔,其中中心区域的挥发孔的分布密度大于边缘区域;基板的底部对应第一凹槽中心区域的热导率大于边缘区域。本发明还公开了其制作方法和应用。通过将设计有挥发通道的封装盖板与基板键合和对基板底部受热面的设计,实现了对溶剂挥发速率调控进而抑制咖啡环的目的,使量子点图案形貌更加规则、良好。
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公开(公告)号:CN114597295B
公开(公告)日:2024-06-25
申请号:CN202210184267.5
申请日:2022-02-23
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种Mini/Micro LED的芯片结构及制备方法,是通过Ar离子轰击p‑GaN层产生高阻区,ICP刻蚀时的沟槽位于高阻区内,从而使刻蚀后器件的四个侧壁均位于高阻区内;然后再在高阻区上制作宽度大于高阻区宽度的电流阻挡层。本发明从限制电流流向的角度出发,通过改变电流的流向,使其无法或尽量少的流向侧壁缺陷处,从而抑制因侧壁缺陷而产生的非辐射复合的发生。
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公开(公告)号:CN117334794A
公开(公告)日:2024-01-02
申请号:CN202311270484.7
申请日:2023-09-28
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微通道与电泳沉积制备量子点色转换层的方法,通过在阵列式排布的透明电极外围设置金属环绕电极和连接电极,并沉积绝缘层,对待沉积区域开口,采用微流道技术,与微通道盖板键合后向微通道通路中通入带电量子点溶液,结合电泳沉积技术,使量子点溶液沉积于待沉积区域的透明电极上形成量子点单元。将制备的量子点色转换层与Micro‑LED芯片阵列键合实现全彩化显示。本发明通过金属电极环绕透明电极的设计,并结合了微流道技术和电泳沉积技术,实现具有像素尺寸小、高PPI、高发光均匀性、沉积速度快、原材料利用率高、有利于大面积的量子点色转换层制备,从而推动全彩Micro‑LED的产业化。
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