公开(公告)号：CN1264178A

公开(公告)日：2000-08-23

申请号：CN00100863.3

申请日：2000-02-15

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 青木由隆 ,  三原一郎 ,  若林猛 ,  渡辺克己

IPC: H01L27/00 ,  H01L23/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/525 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置,包括:具有一电路元件形成区域和一连接垫的一半导体基底;通过插入的第一绝缘膜,设置在所述电路元件形成区域上的一阻挡层;通过插入的第二绝缘膜,设置在具有所述阻挡层的所述第一绝缘膜上,并被连接至所述连接垫的重布线;及设置在所述重布线上的一柱状电极。

公开(公告)号：CN1162908C

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN00100863.3

申请日：2000-02-15

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 青木由隆 ,  三原一郎 ,  若林猛 ,  渡辺克己

IPC: H01L27/00 ,  H01L23/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/525 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置，包括：具有一电路元件形成区域和一连接垫的一半导体基底；通过插入的第一绝缘膜，设置在所述电路元件形成区域上的一阻挡层；通过插入的第二绝缘膜，设置在具有所述阻挡层的所述第一绝缘膜上，并被连接至所述连接垫的重布线；及设置在所述重布线上的一柱状电极。