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公开(公告)号：CN101326644B
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200780000580.2
申请日：2007-02-02
Applicant: 日本财团法人高知县产业振兴中心 , 卡西欧计算机株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78618
Abstract: 一种薄膜晶体管包括基片(1，11)和一对形成于基片上且在其间限定出间隙的源/漏电极(2，14)(即源电极和漏电极)。一对低电阻导电薄膜(10，20)设置为使得每个低电阻导电薄膜覆盖源/漏电极之一的至少一部分。低电阻导电薄膜在其间限定出间隙。氧化物半导体薄膜层(3，15)连续地形成于该对低电阻导电薄膜的上表面上并且沿着限定于低电阻导电薄膜之间的间隙延伸以用作沟道。氧化物半导体薄膜层的侧面和低电阻导电薄膜的相应侧面在沟道的沟道宽度方向上彼此相一致。
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公开(公告)号：CN101326644A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200780000580.2
申请日：2007-02-02
Applicant: 日本财团法人高知县产业振兴中心 , 卡西欧计算机株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78618
Abstract: 一种薄膜晶体管包括基片(1，11)和一对形成于基片上且在其间限定出间隙的源/漏电极(2，14)(即源电极和漏电极)。一对低电阻导电薄膜(10，20)设置为使得每个低电阻导电薄膜覆盖源/漏电极之一的至少一部分。低电阻导电薄膜在其间限定出间隙。氧化物半导体薄膜层(3，15)连续地形成于该对低电阻导电薄膜的上表面上并且沿着限定于低电阻导电薄膜之间的间隙延伸以用作沟道。氧化物半导体薄膜层的侧面和低电阻导电薄膜的相应侧面在沟道的沟道宽度方向上彼此相一致。
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公开(公告)号：CN101032027B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200580029649.5
申请日：2005-09-02
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
IPC: H01L29/45 , H01L29/417 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明的薄膜晶体管包括半导体薄膜(8)；形成在半导体薄膜(8)的一个表面上的栅极绝缘膜(7)；形成为通过栅极绝缘膜(7)与半导体薄膜(8)相对的栅电极(6)；电连接到半导体薄膜(8)的源电极(15)和漏电极(16)；源极区；漏极区；以及沟道区。该薄膜晶体管还包括绝缘膜(9)，其形成在至少对应于半导体薄膜(8)的源极区和漏极区的外围部分上，并且具有通过其使源极区和漏极区中的每一个的至少一部分暴露的接触孔(10、11)，其中源电极(15)和漏电极(16)通过接触孔(10、11)连接到半导体薄膜(8)。
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公开(公告)号：CN101032027A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200580029649.5
申请日：2005-09-02
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
IPC: H01L29/45 , H01L29/417 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明的薄膜晶体管包括半导体薄膜(8)；形成在半导体薄膜(8)的一个表面上的栅极绝缘膜(7)；形成为通过栅极绝缘膜(7)与半导体薄膜(8)相对的栅电极(6)；电连接到半导体薄膜(8)的源电极(15)和漏电极(16)；源极区；漏极区；以及沟道区。该薄膜晶体管还包括绝缘膜(9)，其形成在至少对应于半导体薄膜(8)的源极区和漏极区的外围部分上，并且具有通过其使源极区和漏极区中的每一个的至少一部分暴露的接触孔(10、11)，其中源电极(15)和漏电极(16)通过接触孔(10、11)连接到半导体薄膜(8)。
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