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公开(公告)号：CN111244267A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010059817.1
申请日：2020-01-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种采用异质结材料的磁性随机存储器，包括衬底、以及若干呈阵列分布于衬底上的存储单元，各所述存储单元从上至下依次包括顶部金属层、自由层、氧化层、固定层及钉扎层。其中，所述顶部金属层和钉扎层均采用PtMn材料，自由层和固定层均为磁性并采用La0.7Sr0.3MnO3/BiFeO3异质结材料，氧化层采用MgO材料。所述固定层和钉扎层还设有Pt薄膜层。本发明降低磁性随机存储器的功耗，提高稳定性和运行速度。
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公开(公告)号：CN110993782A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911288639.3
申请日：2019-12-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明揭示了一种基于钙钛矿型异质结衬底及锯齿型隧穿异质结的自旋轨道动量矩磁存储器，该自旋轨道动量矩磁存储器由上到下包括顶电极、反铁磁金属层、SOT-MTJ和衬底，所述SOT-MTJ包括由上至下依次设置的参考层、隧穿势垒层、重金属层Ru、自由层，所述隧穿势垒层为两层氧化物混合的不均称锯齿结构，衬底为两层钙钛矿型氧化物异质结的结构。通过在基板上生长双分子层，可以控制磁易轴稍微偏离z方向，从而实现电流诱导的无场磁化。通过读写分离的操作，解决了传统的MRAM所存在的问题，实现了无需外部磁场即可进行读写，加快了非易失存储器领域发展的步伐。
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公开(公告)号：CN109841689A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201910071910.1
申请日：2019-01-25
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L29/10
Abstract: 本发明公开了一种非对称峰值掺杂结合梯度掺杂的黑磷场效应管，包括与黑磷原子层平行的源极、漏极以及沟道，所述沟道从源极至漏极依次包括第一N型重掺杂区、第一梯度掺杂结构、峰值掺杂结构、本征黑磷、第二梯度掺杂结构和第二N型重掺杂区。本发明对黑磷场效应管的沟道进行峰值对称梯度掺杂，具有更大的阈值电压、更低的关态电流、更好的开关特性、更好的高频特性，表明该器件能更好的抑制漏致势垒降低效应，更低的亚阈区栅压摆幅，说明该器件拥有更优的栅控能力，能更好的抑制短沟道效应，梯度掺杂结构的引入，使得器件抑制热载流子效应的能力也增强。在较低的工作电压下，能够获得较大的驱动电流，并有望在数字电路中获得应用。
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公开(公告)号：CN110010681A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910068192.2
申请日：2019-01-24
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/26 , H01L29/10 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种非对称峰值掺杂的二硫化钼隧穿场效应管，包括半导体衬底、本征二硫化钼纳米条带、源极、漏极以及两个栅极，在半导体衬底上从临近源极一端向临近漏极一端依次为P型重掺杂区、非对称峰值掺杂区、本征二硫化钼纳米条带和N型重掺杂区，通过施加电场使源区和漏区之间形成导电沟道，两个栅极分别位于沟道的两侧，用于控制沟道中的电流，在沟道和栅极之间还设有栅氧化层。本发明具有较大的开关电流比、较低的漏电流、较小的次阈值摆动、较高的截止频率和较小的延迟时间，因此具有更优秀的栅极控制能力和开关特性，能有效抑制短沟道效应和热载流子效应。
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公开(公告)号：CN110993782B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201911288639.3
申请日：2019-12-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明揭示了一种基于钙钛矿型异质结衬底及锯齿型隧穿异质结的自旋轨道动量矩磁存储器，该自旋轨道动量矩磁存储器由上到下包括顶电极、反铁磁金属层、SOT‑MTJ和衬底，所述SOT‑MTJ包括由上至下依次设置的参考层、隧穿势垒层、重金属层Ru、自由层，所述隧穿势垒层为两层氧化物混合的不均称锯齿结构，衬底为两层钙钛矿型氧化物异质结的结构。通过在基板上生长双分子层，可以控制磁易轴稍微偏离z方向，从而实现电流诱导的无场磁化。通过读写分离的操作，解决了传统的MRAM所存在的问题，实现了无需外部磁场即可进行读写，加快了非易失存储器领域发展的步伐。
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