公开(公告)号：CN108155291A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711437516.2

申请日：2017-12-26

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 宋娟 ,  徐新水 ,  钱妍 ,  仪明东 ,  谢令海 ,  黄维

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  H01L27/28

Abstract: 本发明公开了一种双极性大容量有机场效应晶体管存储器及制备方法，通过能带工程设计一系列的P型与N型有机半导体材料，通过溶液旋涂工艺构造一种类似于无机P-N结的结构，解决了在同一晶圆上电子空穴湮灭的问题，从而实现电子空穴的双极性信息存储。同时较低的阈值电压为未来在提高集成度时降低功耗和发热实现信息存储的稳定。本发明旨在通过简单的溶液旋涂制备一种具有双极性捕获位点的混合纳米薄膜，实现大容量双极性存储。薄膜的制备在低温空气的环境进行有利于降低生产成本和大面积制备。

公开(公告)号：CN108054169B

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN201711128735.2

申请日：2017-11-14

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 宋娟 ,  徐新水 ,  钱妍 ,  仪明东 ,  谢令海 ,  黄维

IPC: H01L27/11517 ,  H01L27/28 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

Abstract: 本发明是基于有机小分子的有机场效应晶体管存储器，通过浮栅‑遂穿层一体化构造的器件结构。整个器件从上到下依次是：源漏电极、半导体层、浮栅‑遂穿层、栅绝缘层，其中浮栅层与遂穿层共同构成构成电荷存储层。本发明旨在通过简单的溶液悬涂工艺形成一种纳米结构避免了复杂的纳米技术制备薄膜，实现较大的存储窗、开关比(105)、具有较好的稳定性反复擦写耐受性、实现了光擦除有利于信息加密，并且成本较低可以大面积商业推广、生产。

公开(公告)号：CN108054169A

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201711128735.2

申请日：2017-11-14

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 宋娟 ,  徐新水 ,  钱妍 ,  仪明东 ,  谢令海 ,  黄维

IPC: H01L27/11517 ,  H01L27/28 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

Abstract: 本发明是基于有机小分子的有机场效应晶体管存储器，通过浮栅‑遂穿层一体化构造的器件结构。整个器件从上到下依次是：源漏电极、半导体层、浮栅‑遂穿层、栅绝缘层，其中浮栅层与遂穿层共同构成构成电荷存储层。本发明旨在通过简单的溶液悬涂工艺形成一种纳米结构避免了复杂的纳米技术制备薄膜，实现较大的存储窗、开关比(105)、具有较好的稳定性反复擦写耐受性、实现了光擦除有利于信息加密，并且成本较低可以大面积商业推广、生产。