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公开(公告)号：CN118658571B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411132962.2
申请日：2024-08-19
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G16C60/00 , G06F30/23 , G06T17/20 , G06F111/10 , G06F119/14 , G06F119/08 , G06F119/02 , G06F111/04 , G06F111/08
Abstract: 本发明公开一种考虑延性损伤的凸点晶体塑性有限元模型的构建方法，属于封装可靠性仿真技术领域，包括如下步骤：S1、对凸点试件开展推球试验，获得凸点的宏观应力‑位移曲线；S2、初步建立二维晶体塑性有限元模型；S3、建立耦合损伤的晶体塑性本构模型，并通过用户自定义材料子程序定义；S4、建立计算模型，采用均匀化方法获得有限元模型的应力‑位移曲线；S5、采用试参法拟合宏观应力‑位移曲线和有限元模型的应力‑位移曲线，调整本构模型中的材料参数。本发明能够精确预测封装凸点在剪切荷载下的变形及失效行为，大幅降低试验和设计成本，为封装结构设计提供参考。
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公开(公告)号：CN119252402B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411797714.X
申请日：2024-12-09
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G16C60/00 , G06F30/23 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种多晶材料的弹性粘塑性多尺度本构模型的构建方法及系统，在多晶材料的代表性体积元模型RVE基础上建立单晶尺度本构模型，得到单个晶粒的应力率与应变率之间的关系，然后得到RVE尺度的应力率与应变率之间的关系，建立仿射应变率、应力局部张量、应变局部张量之间的关系；设置初始的单个晶粒应变增量为整体应变增量，通过有限元分析迭代计算，得到RVE尺度的应力增量。本发明适用于解决复杂边界条件下的变形问题，使用算法切线算子及仿射应变增量两个量来定义应变增量与应力增量间的关系，增加了计算的准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119252402A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411797714.X
申请日：2024-12-09
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G16C60/00 , G06F30/23 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种多晶材料的弹性粘塑性多尺度本构模型的构建方法及系统，在多晶材料的代表性体积元模型RVE基础上建立单晶尺度本构模型，得到单个晶粒的应力率与应变率之间的关系，然后得到RVE尺度的应力率与应变率之间的关系，建立仿射应变率、应力局部张量、应变局部张量之间的关系；设置初始的单个晶粒应变增量为整体应变增量，通过有限元分析迭代计算，得到RVE尺度的应力增量。本发明适用于解决复杂边界条件下的变形问题，使用算法切线算子及仿射应变增量两个量来定义应变增量与应力增量间的关系，增加了计算的准确性。
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公开(公告)号：CN118709468A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410708606.4
申请日：2024-06-03
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/23 , H01L21/60 , G06F30/27 , G06F119/08
Abstract: 本发明涉及芯片封装工艺技术领域，公开一种基于机器学习的芯片DFN封装与工艺协同优化方法，通过田口正交试验的百分制加权评判法和信噪比的极差分析法确定焊膏种类、PAD焊层厚度、芯片下表面焊层厚度、芯片材料种类的质量指标，对各因素的极差值R进行排序分析获得综合评分，并通过随机森林机器学习和网格搜索进一步优化田口法的最优DFN封装参数组合；并对回流焊温度曲线进行优化，选取最优回流焊温度曲线；解决现有芯片DFN封装中因材料组合或结构设计的不合理而导致的系列问题，本方法大大提高了优化效率，也一定程度上提高了田口法优化参数的准确性。
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公开(公告)号：CN118658571A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202411132962.2
申请日：2024-08-19
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G16C60/00 , G06F30/23 , G06T17/20 , G06F111/10 , G06F119/14 , G06F119/08 , G06F119/02 , G06F111/04 , G06F111/08
Abstract: 本发明公开一种考虑延性损伤的凸点晶体塑性有限元模型的构建方法，属于封装可靠性仿真技术领域，包括如下步骤：S1、对凸点试件开展推球试验，获得凸点的宏观应力‑位移曲线；S2、初步建立二维晶体塑性有限元模型；S3、建立耦合损伤的晶体塑性本构模型，并通过用户自定义材料子程序定义；S4、建立计算模型，采用均匀化方法获得有限元模型的应力‑位移曲线；S5、采用试参法拟合宏观应力‑位移曲线和有限元模型的应力‑位移曲线，调整本构模型中的材料参数。本发明能够精确预测封装凸点在剪切荷载下的变形及失效行为，大幅降低试验和设计成本，为封装结构设计提供参考。
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公开(公告)号：CN116090310A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310150167.5
申请日：2023-02-22
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06F30/23 , G06F119/14 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于田口试验和响应面法的多目标塑封工艺参数优化方法，涉及芯片塑封工艺技术领域，通过选取试验所需工艺参数，采用田口法设计实验表；建立有限元模型，模拟仿真得出质量指标，计算信噪比；采用信噪比的极差分析法确定各质量指标权重；针对多目标质量指标采用百分制加权的综合评分的极差分析法确定工艺参数的综合影响程度排名；将综合影响程度排名靠前的工艺参数作为设计变量，建立与质量指标之间的响应面模型；基于拟合好的响应面模型，采用多目标遗传算法进行寻优；根据试验数据和响应面模型建立芯片塑封工艺参数优化系统，从而提高获取最优工艺参数组合的精确性，提高生产效率，满足芯片塑封的生产周期和产品质量要求。
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公开(公告)号：CN117634263A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311832424.X
申请日：2023-12-28
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06F30/23 , G16C60/00 , G06F111/06 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明提出一种多目标芯片塑封工艺参数优化方法，该方法包括(1)建立转注成型工艺的芯片有限元模型，确定最佳材料种类和进浇口方案；(2)选取试验所需工艺参数和所需优化质量指标，筛选综合影响质量指标的重要工艺参数；(3)利用响应面法、最优拉丁超立方抽样分别设计试验；(4)拟合设计变量与响应变量，基于不同相关函数分别构建代理模型，并检验模型精度是否满足要求；(5)采用多目标优化算法进行寻优，将最佳工艺参数进行反馈。
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