公开(公告)号：CN118890956A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410956325.0

申请日：2024-07-17

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 朱刚毅 ,  张天宇 ,  宋阳 ,  沈业辉 ,  徐荣青 ,  沈光煦 ,  秦飞飞

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种制备基于氧化锌/氧化铪射频开关及其制备方法，射频开关以硅基晶片为载体，以金属铂和金属银作为射频开关器件的电极层，用以二硫化钼和氧化锌作为阻变材料，包括从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝层、镍层、铂层、二硫化钼层、氧化锌层、银层、氮化钛层、镍层、铜层。本发明在硅衬底上利用光刻工艺和PVD磁控溅射镀膜工艺制备射频开关，制备方法工艺简单，成本低。制备的射频开关具有优异的性能和良好的应用前景。

公开(公告)号：CN119562757A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411737522.X

申请日：2024-11-29

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 沈业辉 ,  朱刚毅 ,  宋阳 ,  张天宇 ,  徐荣青 ,  沈光煦

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种在高阻硅片衬底上基于悬浮纳米电极的太赫兹忆阻射频开关及其制备方法，包括衬底，衬底的上表面设置有连接层，连接层的上表面设置有惰性电极层，惰性电极层上表面设置有Nafion介质层，Nafion介质层上表面设置有活性电极层，活性电极层上表面设置有惰性金属层，该设计中的射频开关以Nafion离子交换膜为主要材料，包括从下至上一次设置的硅衬底层、铬连接层、惰性底层电极、Nafion薄膜中间层、活性顶层电极以及惰性金属保护层。在硅衬底层通过刻蚀工艺制备突起型微结构，实现惰性电极悬空，整个忆阻射频开关主要由两个电极和一个中间层叠加构成，通过对活性电极连接正极，惰性电极连接负极，施加开启、关断电压展现非易失性。

公开(公告)号：CN118825582A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410956326.5

申请日：2024-07-17

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 朱刚毅 ,  宋阳 ,  张天宇 ,  沈业辉 ,  徐荣青 ,  沈光煦 ,  秦飞飞

IPC: H01P1/18 ,  H01P11/00

Abstract: 本发明公开了一种基于氧化铪/氧化锌射频开关的移相器及其制备方法，移相器以硅基晶片为载体，以金属铂和金属银作为射频开关器件的电极层，用以氧化铪作为射频开关的阻变材料，包括从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝层、镍层、铂层、氧化铪层、银层、氮化钛层、镍层、铜层，串联多个相同长度传输线的射频开关，并对串联后的结构设计一个控制电路，用于生成并发送控制信号，实现移相器进行多相位移动的功能。本发明在硅衬底上利用光刻工艺和PVD磁控溅射镀膜工艺制备移相器，制备方法工艺简单，成本低。制备的移相器具有优异的性能和良好的应用前景。