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公开(公告)号：CN114628585A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210258847.4
申请日：2022-03-16
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于掺杂的电接触改良的平面聚合物薄膜晶体管的制备方法，所述聚合物薄膜晶体管具有顶栅顶接触结构。首先在绝缘衬底上旋涂一层有机半导体材料（DPPT‑TT）作为有源层（organic semiconductor,OSC），然后通过掩模版制备一层三氧化钼作为接触掺杂层，再在掺杂层上面制备一层银作为源极和漏极。样品暴露于水氧环境中4个小时，以激活掺杂效应稳定接触界面。然后再旋涂一层介电层材料（PMMA）作为绝缘层。最后通过掩膜版在绝缘层表面制备铝栅电极。该方法制备的这种共面结构的聚合物薄膜晶体管相较于未掺杂的共面聚合物薄膜晶体管，器件从不工作开始明显工作，实现了良好的欧姆接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114487519A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210142082.8
申请日：2022-02-16
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明是一种用于柔性器件的测试设备，该测试设备用于柔性器件的电学性能和力学性能测试，包括框架，测试设备还包括安装在框架上的控制器、探针机构、样件测试台机构、拉力传感器和微区摄像器，中控机通信连接所述控制器，控制器通信连接探针机构，探针机构电性连接控制器，用于柔性器件的性能测试，样件测试台机构用于夹固柔性器件，对其进行弯曲和拉伸。该设备实现了对柔性器件的电学性能和力学性能一体化测试且不损坏柔性器件的表面，为柔性器件的测试提供了新的设备。
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公开(公告)号：CN112820831A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110086375.4
申请日：2021-01-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于溶剂汽相退火工艺调控阈值电压制备的低压有机薄膜晶体管及其方法。该晶体管包括由下到上的p型低阻硅衬底、SiO2层、对称的金电极、并五苯有机薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯高分子膜。本发明提出一种通过使用丁酮溶剂进行汽相退火工艺来对并五苯器件进行后处理的方法，用来降低在制作薄膜过程中所带来的界面缺陷，能够显著降低器件的开启电压。处理过程中参数可控，通过调节温度以及装置中的溶剂蒸汽压力，使得实验环境始终保持稳定。该方法对不同沟道长度的器件均有效，具有良好的通用性。
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公开(公告)号：CN114665019B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202210292904.0
申请日：2022-03-24
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于磁控溅射的聚合物场效应晶体管的制备方法以及基于该制备方法的P型聚合物晶体管，所述P型聚合物场效应晶体管具有底栅顶接触结构。首先在硅晶圆表面氧化生长一层二氧化硅作为绝缘层，再在二氧化硅表面旋涂有机半导体有源层，接着在有源层的上方通过掩模版使用磁控溅射的方法制备一层银作为源极和漏极，最后对硅片上的每一个晶体管进行隔离并且使用铜箔和导电银胶进行栅极处理。该方法制备的接触电极相较于传统使用热蒸镀来制备电极的方法，其载流子迁移率和输出电流都有所提升，器件的阈值电压明显降低。本发明提升了这种底栅顶接触聚合物场效应晶体管的电学性能，具有工艺简单，操作便捷的特点。
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公开(公告)号：CN114665019A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210292904.0
申请日：2022-03-24
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于磁控溅射的聚合物场效应晶体管的制备方法以及基于该制备方法的P型聚合物晶体管，所述P型聚合物场效应晶体管具有底栅顶接触结构。首先在硅晶圆表面氧化生长一层二氧化硅作为绝缘层，再在二氧化硅表面旋涂有机半导体有源层，接着在有源层的上方通过掩模版使用磁控溅射的方法制备一层银作为源极和漏极，最后对硅片上的每一个晶体管进行隔离并且使用铜箔和导电银胶进行栅极处理。该方法制备的接触电极相较于传统使用热蒸镀来制备电极的方法，其载流子迁移率和输出电流都有所提升，器件的阈值电压明显降低。本发明提升了这种底栅顶接触聚合物场效应晶体管的电学性能，具有工艺简单，操作便捷的特点。
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