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发明公开
一种基于溶剂汽相退火工艺调控阈值电压制备的低压有机薄膜晶体管及其方法无效

公开(公告)号：CN112820831A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN202110086375.4

申请日：2021-01-21

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 吴长青 , 孙华斌 , 朱洪 , 李润

IPC: H01L51/05 , H01L51/40

Abstract: 本发明公开了一种基于溶剂汽相退火工艺调控阈值电压制备的低压有机薄膜晶体管及其方法。该晶体管包括由下到上的p型低阻硅衬底、SiO2层、对称的金电极、并五苯有机薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯高分子膜。本发明提出一种通过使用丁酮溶剂进行汽相退火工艺来对并五苯器件进行后处理的方法，用来降低在制作薄膜过程中所带来的界面缺陷，能够显著降低器件的开启电压。处理过程中参数可控，通过调节温度以及装置中的溶剂蒸汽压力，使得实验环境始终保持稳定。该方法对不同沟道长度的器件均有效，具有良好的通用性。

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