公开(公告)号：CN115867045A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211657289.5

申请日：2022-12-22

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 周子唯 ,  王伟 ,  戚逸帆

IPC: H10B61/00 ,  H10N50/10 ,  H10N52/00 ,  H10N52/80 ,  H10N52/85 ,  H10N50/85 ,  H10N50/80

Abstract: 本发明公开了一种基于压控磁各项异性效应的自旋轨道转矩磁存储器，该磁性存储器从上到下包括电极层、SOT‑MTJ(垂直自旋轨道矩磁隧道结)，所述SOT‑MTJ包括从上到下依次层叠的人工反铁磁耦合层、参考层、隧穿层、自由层以及反铁磁层。所述SOT‑MTJ中，椭圆形上层长轴方向与底层X轴方向形成夹角，以产生效应场Heff的通道，辅助磁矩更易翻转。底层反铁磁层采用IrMn或PtMn材料，具有相当大的自旋霍尔角，有利于高效地产生自旋轨道力矩来翻转磁矩，同时IrMn和PtMn反铁磁材料能够提供交换耦合场来代替相干磁开关所需的外部场。此外，在磁存储器的顶部和底部外接电压，通过施加极短的电压脉冲，降低甚至消除磁化切换期间的能量势垒，来诱导自由层更快地实现SOT确定性切换。

公开(公告)号：CN116017988A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202310003297.6

申请日：2023-01-03

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 戚逸帆 ,  王伟 ,  周子唯

IPC: H10B61/00

Abstract: 本发明公开一种基于Bi2Se3‑掺杂锂原子衬底的倾斜磁隧道结存储器及数据读写方法，所述存储器的结构包括从上至下依次设置的顶电极、SOT‑MTJ和衬底，所述SOT‑MTJ包括从上至下依次设置的参考层、隧穿层、重金属层和自由层，所述衬底为Bi2Se3和掺杂锂原子的石墨烯异质结的结构。此种存储器的衬底采用Bi2Se3和掺杂锂原子的石墨烯异质结的结构，相比未掺杂的石墨烯衬底，提高了衬底的透射系数，并且锂原子掺杂在石墨烯表面和掺杂在石墨烯内部时透射系数不同，可以实现“0”和“1”两种逻辑；另外，在器件外施加磁场偏转也可以进一步改变该衬底的透射系数，能够解决现有技术中磁性随机存储器存在自旋霍尔角较小、稳定性差且不能实现读写分离的问题。