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公开(公告)号：CN118409191A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410581057.9
申请日：2024-05-11
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开一种芯粒延迟故障测试电路及方法，属于测量、测试的技术领域。该电路包含绑定在芯粒每个输出引脚的数字转换输入单元C、绑定在输入引脚的时间数字转换输出单元、初始化模块和芯粒测试访问控制电路。所有数字转换单元串联形成TDC链，将待测TSV传播延时分割成连续小的时间间隔在TDC链上传播并转换为数字信号，观测是否存在延迟故障；芯粒测试访问控制电路控制测试路径的配置、测试模式的选择以及TDC链的移位、更新、捕获操作。本发明针对芯粒延迟故障测试需求，提出一种高精度的测试电路，该测试电路无需增加额外的测试端口且测试精度突破了门级延迟的限制。
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公开(公告)号：CN118098334A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410505070.6
申请日：2024-04-25
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明属于集成电路领域，公开了一种RRAM的故障测试方法，对所有常规存储器的故障模型以及RRAM特有故障模型的故障原语进行分析，得到能够检测故障模型的测试序列；使用得到的测试序列在March‑C‑，March C*‑1T1R等算法基础上推导出能覆盖大部分常规存储器故障以及RRAM特有故障的March‑RAWR算法；以March‑RAWR算法为核心，构建一个适用于RRAM存储器的内建自测试MBIST电路；对RRAM存储器注入故障，并运行MBIST电路进行故障测试，记录故障单元地址。该方法提出的March RAWR算法故障覆盖率高达89.92%。该方法搭建的内建自测试电路结构简单，额外占用面积小。
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公开(公告)号：CN117828956B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410246785.4
申请日：2024-03-05
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/23 , G06F30/10 , G06F30/27 , G06F17/18 , G06F119/02 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种基于晶体塑性有限元模型的封装跌落可靠性预测方法，包括观察扫描电子显微镜下的微凸点细观结构，建立包含不同取向晶粒的晶体塑性有限元模型；调整微凸点尺寸、微凸点个数及排布方式，构建封装结构的有限元模型；对封装结构的有限元模型进行参数设置；针对最大应力应变位置的微凸点，采用均匀化方法得出微凸点的最大应力和应变；使用仿真软件，输入不同组载荷条件，输出对应的微凸点最大应力仿真云图，得到不同组焊点最大应力应变曲线；利用样本数据集对神经网络进行训练和测试，获得应力预测模型。本发明能够通过微观力学精准的拟出封装模型，并通过机器学习算法大大增加封装仿真计算速度。
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公开(公告)号：CN114578217B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210485039.1
申请日：2022-05-06
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开一种可控的Chiplet串行测试电路，属于半导体器件在制造或处理过程中的测试或测量的技术领域。该测试电路包括主控测试模块、从控测试模块、时钟控制模块、输出模块，主控测试模块由测试访问端口模块、段插入位模块、测试数据寄存器模块组成，通过主控测试模块生成测试控制信号，从控测试模块接收到测试控制信号后分别控制从控芯粒的测试输入信号。同时，测试控制信号输入至时钟控制模块，得到从控芯粒的时钟信号。测试输出模块的输出信号由测试控制信号确定。该测试电路利用外部测试端口直接控制多芯粒集成电路的内部测试信号，实现对芯粒测试选择以及最终测试输出，保证各芯粒测试的有效性及独立性。
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公开(公告)号：CN114578217A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210485039.1
申请日：2022-05-06
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开一种可控的Chiplet串行测试电路，属于半导体器件在制造或处理过程中的测试或测量的技术领域。该测试电路包括主控测试模块、从控测试模块、时钟控制模块、输出模块，主控测试模块由测试访问端口模块、段插入位模块、测试数据寄存器模块组成，通过主控测试模块生成测试控制信号，从控测试模块接收到测试控制信号后分别控制从控芯粒的测试输入信号。同时，测试控制信号输入至时钟控制模块，得到从控芯粒的时钟信号。测试输出模块的输出信号由测试控制信号确定。该测试电路利用外部测试端口直接控制多芯粒集成电路的内部测试信号，实现对芯粒测试选择以及最终测试输出，保证各芯粒测试的有效性及独立性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118658571B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411132962.2
申请日：2024-08-19
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G16C60/00 , G06F30/23 , G06T17/20 , G06F111/10 , G06F119/14 , G06F119/08 , G06F119/02 , G06F111/04 , G06F111/08
Abstract: 本发明公开一种考虑延性损伤的凸点晶体塑性有限元模型的构建方法，属于封装可靠性仿真技术领域，包括如下步骤：S1、对凸点试件开展推球试验，获得凸点的宏观应力‑位移曲线；S2、初步建立二维晶体塑性有限元模型；S3、建立耦合损伤的晶体塑性本构模型，并通过用户自定义材料子程序定义；S4、建立计算模型，采用均匀化方法获得有限元模型的应力‑位移曲线；S5、采用试参法拟合宏观应力‑位移曲线和有限元模型的应力‑位移曲线，调整本构模型中的材料参数。本发明能够精确预测封装凸点在剪切荷载下的变形及失效行为，大幅降低试验和设计成本，为封装结构设计提供参考。
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公开(公告)号：CN117828956A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410246785.4
申请日：2024-03-05
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/23 , G06F30/10 , G06F30/27 , G06F17/18 , G06F119/02 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种基于晶体塑性有限元模型的封装跌落可靠性预测方法，包括观察扫描电子显微镜下的微凸点细观结构，建立包含不同取向晶粒的晶体塑性有限元模型；调整微凸点尺寸、微凸点个数及排布方式，构建封装结构的有限元模型；对封装结构的有限元模型进行参数设置；针对最大应力应变位置的微凸点，采用均匀化方法得出微凸点的最大应力和应变；使用仿真软件，输入不同组载荷条件，输出对应的微凸点最大应力仿真云图，得到不同组焊点最大应力应变曲线；利用样本数据集对神经网络进行训练和测试，获得应力预测模型。本发明能够通过微观力学精准的拟出封装模型，并通过机器学习算法大大增加封装仿真计算速度。
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公开(公告)号：CN117517932B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311844340.8
申请日：2023-12-29
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明属于超大规模集成电路可测性设计领域，公开了一种芯粒间TSV测试电路及测试方法，通过芯粒测试配置电路配置测试路径、测试指令和读写数据寄存器；通过读写数据寄存器组接收测试向量和捕获测试响应；通过TSV阵列测试控制电路控制TSV测试的初始化、测试、捕获操作；通过地址解码电路选择TSV阵列中的待测行；通过测试向量生成电路生成测试TSV所需的测试向量；通过比较电路判断测试TSV是否存在故障；通过TSV接收阵列和TSV发送阵列控制测试向量在TSV上的发送与测试响应的接收。本发明所提出的测试电路满足芯粒间TSV的测试需求，减少了硬件面积的占用，测试过程高度自动化，芯粒测试成本下降。
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公开(公告)号：CN110414158A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910705941.8
申请日：2019-07-31
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供一种叠层芯片热性能优化方法，所述优化方法步骤为步骤一：根据芯片各个组件的初始尺寸和相应的材料仿真获得芯片的初始结温值；步骤二：选取影响结温的七种因素，并确定合适的正交表；步骤三：采用正交表的极差分析得到影响趋势图，观察图中各个因素在不同取值情况下的变化范围从而得到影响结温的主要因素以及各个因素的最优值；步骤四：将各个因素的最优值组合后仿真获得最优结温，将最优结温与之前的初始结温作比较，发现结温有明显下降，芯片热性能得到优化。采用所述优化方法后，最终结温的优化值比初始结温值降低8.38%。
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公开(公告)号：CN119252402B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411797714.X
申请日：2024-12-09
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G16C60/00 , G06F30/23 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种多晶材料的弹性粘塑性多尺度本构模型的构建方法及系统，在多晶材料的代表性体积元模型RVE基础上建立单晶尺度本构模型，得到单个晶粒的应力率与应变率之间的关系，然后得到RVE尺度的应力率与应变率之间的关系，建立仿射应变率、应力局部张量、应变局部张量之间的关系；设置初始的单个晶粒应变增量为整体应变增量，通过有限元分析迭代计算，得到RVE尺度的应力增量。本发明适用于解决复杂边界条件下的变形问题，使用算法切线算子及仿射应变增量两个量来定义应变增量与应力增量间的关系，增加了计算的准确性。
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