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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114891022A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210338305.8
申请日：2022-04-01
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D495/22 , C07D493/22 , C07D517/22 , H01L51/30 , H01L51/05 , B82Y10/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种有机纳米格子分子材料，其结构通式为：其中：R为氢或具有1至22个碳原子的直链、支链或者环状烷基链或其烷氧基链；X原子为C或N；Y原子为O,S或Se；G为芳香基团或者非芳香基团。本发明的有机纳米格子分子材料具有良好的电化学稳定性，其框架的刚性结构可减少器件制备过程中的薄膜溶剂依赖性，适用于制备有机场效应晶体管存储器的存储层。
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公开(公告)号：CN116199707A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310209593.1
申请日：2023-03-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一类苯并二噻吩衍生物及其制备和应用，属于有机存储和信息技术领域。该类衍生物是在苯并二噻吩结构上键连接三异丙基乙炔基硅后制得，所得化合物具有大的共轭平面以及电荷云密度，且具有良好的π–π堆积性能，与三异丙基乙炔基硅结合可进一步抑制电荷泄漏，阻挡载流子的流失，从而可提高电荷的存储稳定性和耐受性，因而适于制备有机场效应晶体管存储器。本申请将该类苯并二噻吩衍生物作为OFET存储器的电荷俘获层，由于苯并二噻吩具有电荷俘获位点，所以当给器件施加电压，在电场的作用下，电子或者空穴从半导体层隧穿进入到存储层，就会更加容易被俘获，有助于提升器件的存储性能。
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公开(公告)号：CN114891022B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202210338305.8
申请日：2022-04-01
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D495/22 , C07D493/22 , C07D517/22 , H10K85/60 , H10K10/46 , B82Y10/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明的有机纳米格子分子材料具有良好的电本发明公开了一种有机纳米格子分子材料， 化学稳定性，其框架的刚性结构可减少器件制备过程中的薄膜溶剂依赖性，适用于制备有机场效应晶体管存储器的存储层。其结构通式为：其中：R为氢或具有1至22个碳原子的直链、支链
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公开(公告)号：CN117412609A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311351580.4
申请日：2023-10-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开基于PM系列宽带隙聚合物和Y6受体共混材料体系的有机场效应晶体管存储器及制备方法，属于有机半导体新型存储器和信息技术领域；存储器为从上至下分别为源漏电极、有机半导体层，存储介质层，栅绝缘层及栅极；存储介质层为PM系列宽带隙聚合物和Y6混合后一起旋涂形成的单层结构或为PM系列宽带隙聚合物和Y6分别旋涂形成的多层结构；能够实现在给定光强和电调控下的较大的存储空间，而且能够通过多层结构实现电调控存储；可应用于可见光感应以及柔性电子存储中，并在未来柔性可穿戴电子器件的发展种得到进一步推广与生产；其制备成本低、操作简便且过程稳定可靠。
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公开(公告)号：CN116199707B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202310209593.1
申请日：2023-03-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一类苯并二噻吩衍生物及其制备和应用，属于有机存储和信息技术领域。该类衍生物是在苯并二噻吩结构上键连接三异丙基乙炔基硅后制得，所得化合物具有大的共轭平面以及电荷云密度，且具有良好的π–π堆积性能，与三异丙基乙炔基硅结合可进一步抑制电荷泄漏，阻挡载流子的流失，从而可提高电荷的存储稳定性和耐受性，因而适于制备有机场效应晶体管存储器。本申请将该类苯并二噻吩衍生物作为OFET存储器的电荷俘获层，由于苯并二噻吩具有电荷俘获位点，所以当给器件施加电压，在电场的作用下，电子或者空穴从半导体层隧穿进入到存储层，就会更加容易被俘获，有助于提升器件的存储性能。
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