公开(公告)号：CN116669532A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310786249.9

申请日：2023-06-29

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 陈帅 ,  孙仕磊 ,  何南 ,  童袆

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明公开了一种基于量子点/无铅卤化物钙钛矿的忆阻器及其制备方法和应用，所述忆阻器包括由上至下依次布设的顶电极、阻变层和底电极，所述阻变层包括第一阻变层和设于第一阻变层上的第二阻变层，所述第一阻变层为无铅卤化物钙钛矿Cs3Cu2Cl5，所述第二阻变层为Ag‑In‑Zn‑S量子点。所述忆阻器相较于二极管或场效应晶体管等传统硅基电子开关器件，具备102的开关比、34ns的高速响应时间、切换的高低阻值稳定可靠等优点。所述忆阻器的制备方法简单、可靠且稳定性强，且相比于铅基钙钛矿材料，本发明使用的无铅钙钛矿材料具有绿色环保等优点，为非易失性存储和无线通信等高频电子开关器件领域提供了一种技术可行性。

公开(公告)号：CN116709898A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310786477.6

申请日：2023-06-29

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 孙仕磊 ,  陈帅 ,  何南 ,  童袆

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明公开了一种低功耗忆阻器及其制备方法，所述低功耗忆阻器包括由下至上依次布设的黏附层、底电极层、阻变层和顶电极层，所述阻变层为SiC，所述低功耗忆阻器具有操作电压和电流小的特点，能够使器件在更小的功耗下运行，所述低功耗忆阻器还能够在不同限流下表现出易失和非易失共存特性，且能够在上百次循环后，依然保持开关特性，具有良好的稳定性和高重复性，能够更好的满足器件应用于电路时对其性能的要求。所述低功耗忆阻器制备方法，操作简单且成本低廉，具有广阔的市场价值。