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公开(公告)号：CN106698403A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201710010773.1
申请日：2017-01-06
Applicant: 南京工业大学
IPC: C01B32/184 , C01B32/198
CPC classification number: C01B2204/00 , C01P2004/03
Abstract: 本发明涉及一种大面积制备石墨烯卷的方法，该方法是以氧化石墨烯为原料，采用LB膜仪制得单分子层的氧化石墨烯膜，再将其浸入到硫醇溶液中一定时间，即制得氧化石墨烯卷，随后用水合肼将其还原即得到所述石墨烯卷。与现有技术相比，本发明工艺步骤简单，反应条件温和，原料易得，成本较低。
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公开(公告)号：CN106744899A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710014214.8
申请日：2017-01-09
Applicant: 南京工业大学
IPC: C01B32/194 , C01G39/06 , C01G41/00 , B82Y40/00 , B82Y30/00
CPC classification number: C01G39/06 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01G41/00 , C01P2004/30
Abstract: 本发明公开一种二维材料纳米卷的制备方法，所述方法采用如下步骤：首先由机械剥离法或者化学的方法得到我们所需的二维材料；然后将我们所获取的一定浓度的二维材料溶液吸附在一种疏水性的衬底上，采用分子梳技术在该疏水性衬底上形成排列有序的致密的纳米卷，最后用无尘纸去除多余残留的溶液，本发明实现了分子梳技术在疏水性衬底上二维材料纳米卷的制备。该方法工艺简单，效率高且适用性广泛，有较好的拓展性，在材料领域，生物领域等都有较好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106683982B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201710005870.1
申请日：2017-01-05
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种简捷的逐层调节二维材料带隙的方法，我们将通过机械剥离或其他方法制备的多层二维材料置于等离子清洗机中，通入一定量的气体(如：氧气等)。通过调节目标样品与等离子发射中心的距离(如：5～500mm)，等离子清洗机的工作功率(5～50W)和时间(如：5～400s)来实现多层二维材料逐层均质刻蚀的目的。该方法通过对二维材料由多层向单层厚度的逐层均质调节，有效地实现了对其带隙带隙的调节，深刻地影响了目标样品的光电性能。此方法实施便捷、工艺稳定、效果显著，在光电探测、生物传感等领域均具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN106698403B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201710010773.1
申请日：2017-01-06
Applicant: 南京工业大学
IPC: C01B32/184 , C01B32/198
Abstract: 本发明涉及一种大面积制备石墨烯卷的方法，该方法是以氧化石墨烯为原料，采用LB膜仪制得单分子层的氧化石墨烯膜，再将其浸入到硫醇溶液中一定时间，即制得氧化石墨烯卷，随后用水合肼将其还原即得到所述石墨烯卷。与现有技术相比，本发明工艺步骤简单，反应条件温和，原料易得，成本较低。
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公开(公告)号：CN106683982A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201710005870.1
申请日：2017-01-05
Applicant: 南京工业大学
CPC classification number: H01L21/02664 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/02057 , H01L21/02568
Abstract: 本发明涉及一种简捷的逐层调节二维材料带隙的方法，我们将通过机械剥离或其他方法制备的多层二维材料置于等离子清洗机中，通入一定量的气体(如：氧气等)。通过调节目标样品与等离子发射中心的距离(如：5～500mm)，等离子清洗机的工作功率(5～50W)和时间(如：5～400s)来实现多层二维材料逐层均质刻蚀的目的。该方法通过对二维材料由多层向单层厚度的逐层均质调节，有效地实现了对其带隙带隙的调节，深刻地影响了目标样品的光电性能。此方法实施便捷、工艺稳定、效果显著，在光电探测、生物传感等领域均具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN106643532A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611241992.2
申请日：2016-12-29
Applicant: 南京工业大学
IPC: G01B11/06
CPC classification number: G01B11/06
Abstract: 本发明公开了一种通过测量光学图像衬度差快速准确鉴别单层至数十层过渡金属硫属化合物(TMDs)二维纳米薄片厚度的方法，不同于其他光学图像采用刺激值或对比度值等需要公式计算并且厚度鉴定有限的方法，本发明只需提取图像衬度通过一步简单减法就可以快速准确地确定各衬底上TMDs二维纳米薄片厚度。首先采用光学显微镜和彩色相机拍摄TMDs二维纳米薄片在衬底上的光学图像，然后利用免费图像处理软件来测定光学显微镜图像中不同厚度TMDs二维纳米薄片在彩色、红色、绿色和蓝色通道下与衬底的光学衬度差，构建不同种类、不同厚度TMDs二维纳米薄片的衬度差标准图谱，从而实现对各衬底上不同种类单层至数十层TMDs二维纳米薄片厚度的快速准确鉴定。
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公开(公告)号：CN106744729A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611251051.7
申请日：2016-12-29
Applicant: 南京工业大学
CPC classification number: C01B19/007 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种大面积无水转移纳米材料的方法，以二氧化硅或表面富含羟基的其它材料为衬底，将需要转移的纳米材料制备在疏水处理过的硅片上，在带有样品的硅片上旋涂一层高分子薄膜，再用PDMS薄膜作为辅助材料将其盖到旋涂了高分子膜的硅片上，缓慢揭起来。样品会随高分子膜一起转移到PDMS薄膜上。将携带样品的PDMS盖到目标衬底上，用热处理的方法将PDMS膜取走，而高分子薄膜和样品留在目标衬底上。退火一段时间，用高分子的可溶性溶液将高分子洗掉，目标材料即可被转移到目标衬底上。
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