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公开(公告)号:CN106683982A
公开(公告)日:2017-05-17
申请号:CN201710005870.1
申请日:2017-01-05
Applicant: 南京工业大学
CPC classification number: H01L21/02664 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/02057 , H01L21/02568
Abstract: 本发明涉及一种简捷的逐层调节二维材料带隙的方法,我们将通过机械剥离或其他方法制备的多层二维材料置于等离子清洗机中,通入一定量的气体(如:氧气等)。通过调节目标样品与等离子发射中心的距离(如:5~500mm),等离子清洗机的工作功率(5~50W)和时间(如:5~400s)来实现多层二维材料逐层均质刻蚀的目的。该方法通过对二维材料由多层向单层厚度的逐层均质调节,有效地实现了对其带隙带隙的调节,深刻地影响了目标样品的光电性能。此方法实施便捷、工艺稳定、效果显著,在光电探测、生物传感等领域均具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号:CN106683982B
公开(公告)日:2019-03-29
申请号:CN201710005870.1
申请日:2017-01-05
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种简捷的逐层调节二维材料带隙的方法,我们将通过机械剥离或其他方法制备的多层二维材料置于等离子清洗机中,通入一定量的气体(如:氧气等)。通过调节目标样品与等离子发射中心的距离(如:5~500mm),等离子清洗机的工作功率(5~50W)和时间(如:5~400s)来实现多层二维材料逐层均质刻蚀的目的。该方法通过对二维材料由多层向单层厚度的逐层均质调节,有效地实现了对其带隙带隙的调节,深刻地影响了目标样品的光电性能。此方法实施便捷、工艺稳定、效果显著,在光电探测、生物传感等领域均具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号:CN106744729A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201611251051.7
申请日:2016-12-29
Applicant: 南京工业大学
CPC classification number: C01B19/007 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种大面积无水转移纳米材料的方法,以二氧化硅或表面富含羟基的其它材料为衬底,将需要转移的纳米材料制备在疏水处理过的硅片上,在带有样品的硅片上旋涂一层高分子薄膜,再用PDMS薄膜作为辅助材料将其盖到旋涂了高分子膜的硅片上,缓慢揭起来。样品会随高分子膜一起转移到PDMS薄膜上。将携带样品的PDMS盖到目标衬底上,用热处理的方法将PDMS膜取走,而高分子薄膜和样品留在目标衬底上。退火一段时间,用高分子的可溶性溶液将高分子洗掉,目标材料即可被转移到目标衬底上。
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