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公开(公告)号：CN118465515B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410919386.X
申请日：2024-07-10
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供了一种半导体晶片内部电场的检测方法，包括以下步骤：在待测半导体晶片下方设置底电极；在待测半导体晶片表面上采用外延生长技术和电子束蒸发技术生成半透明电极；采用电子束蒸发技术在半透明电极的中心生长金电极，金电极的尺寸小于半透明电极；进行不同恒定偏压下的光电流测试，获得不同偏压下的光响应谱；光电流测试的光线垂直金电极进行照射；通过法兰兹‑卡尔迪西效应FK和相应半导体场吸收模型对待测半导体晶片在光电流测试中的耗尽区、扩散区和无场吸收区进行分析得到光响应公式，并与光响应谱进行拟合，得到不同偏压下待测半导体晶片的内部电场。对器件无损伤且简单易行，对实际器件内部电场进行精确检测。
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公开(公告)号：CN119300372A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411797000.9
申请日：2024-12-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构的氧化镓基异质结双极晶体管及其制造方法，晶体管包括从下至上依次排列的Ga2O3集电极、NiO基极和Ga2O3发射极；NiO基极上位于Ga2O3发射极两侧均设置有基极电极；Ga2O3集电极与NiO基极形成n‑p结，NiO基极与Ga2O3发射极形成p‑n结。在有效地提升了电流增益的同时，增强了器件耐压能力。本发明为目前尚缺乏深入研究的氧化镓基双极晶体管提供了基础，有助于高压大功率双极晶体管的发展。
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公开(公告)号：CN118465515A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410919386.X
申请日：2024-07-10
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供了一种半导体晶片内部电场的检测方法，包括以下步骤：在待测半导体晶片下方设置底电极；在待测半导体晶片表面上采用外延生长技术和电子束蒸发技术生成半透明电极；采用电子束蒸发技术在半透明电极的中心生长金电极，金电极的尺寸小于半透明电极；进行不同恒定偏压下的光电流测试，获得不同偏压下的光响应谱；光电流测试的光线垂直金电极进行照射；通过法兰兹‑卡尔迪西效应FK和相应半导体场吸收模型对待测半导体晶片在光电流测试中的耗尽区、扩散区和无场吸收区进行分析得到光响应公式，并与光响应谱进行拟合，得到不同偏压下待测半导体晶片的内部电场。对器件无损伤且简单易行，对实际器件内部电场进行精确检测。
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