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公开(公告)号:CN119521812A
公开(公告)日:2025-02-25
申请号:CN202411431535.4
申请日:2024-10-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种多层结构的垂直电荷转移式的三维光电器件,属于光电探测器与存储器领域。该多层结构的垂直电荷转移式的三维光电器件包括形成在半导体衬底中沿垂直方向依次排布的电荷读取层、电荷转移层和电荷存储层。其中电荷读取层为具备将电荷信号转化为电压或电流信号的读出功能以及将电荷信号重置为初态的复位功能的半导体器件,电荷转移层具备将电荷信号沿垂直方向转移的功能,电荷存储层具备存储单个或多个电荷包的功能,通过对不同层施加适当的电压,探测单元可以实现感光、转移、读取和复位。本发明的器件将光电探测功能从平面转为立体,可进行多光谱探测、光电倍增、数据存储等应用。
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公开(公告)号:CN119247089A
公开(公告)日:2025-01-03
申请号:CN202411438142.6
申请日:2024-10-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种复合介质栅光敏探测器的非稳态激励噪声测试方法,属于成像探测器件的噪声测试技术领域。本发明的复合介质栅光敏探测器的非稳态激励噪声测试系统中待测的复合介质栅光敏探测器通过晶圆测试探针台的4个端口向外连接;电流电压信号采样分析仪的三个端口通过晶圆测试探针台连接到复合介质栅光敏探测器的漏、衬底和源电极,第四个端口连接到非稳态激励函数信号发生器的触发输入端口;非稳态激励函数信号发生器的信号输出端口通过晶圆测试探针台连接到光敏探测器的控制栅电极;经过硬件部分验测试后得到的实验原始数据将存储在电流电压信号采样分析仪中。本发明能实现从器件级的层面去获得芯片中某一个具体像素器件的噪声数据。
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公开(公告)号:CN119382704A
公开(公告)日:2025-01-28
申请号:CN202411431536.9
申请日:2024-10-14
Applicant: 南京大学
IPC: H03M1/12 , H04N25/772
Abstract: 本发明涉及一种基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的双采样读出电路,属于模拟集成电路领域。该双采样读出电路包括探测单元、源漏连接开关、双采样模块和输出信号选通模块,可以提供片内双采样、片外双采样以及单采样的工作模式,适用于单管以及阵列读出,通过利用采样电容的充放电实现对阈值电压的量化,并且可以通过对参考电压的调制去适应ADC的量化范围,以实现与高精度高速的ADC级联。将不进行读出的探测单元的源端与漏端连通,避免漏电流的产生,降低功耗。本发明提出的读出电路显著降低了输出电压的摆幅,提高了读出速度和准确性,同时降低了功耗和噪声,可与低摆幅高精度高速的ADC级联,用于实现图像传感器高画质高帧率的需求。
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