一种新型的有机PN异质结液相的生长方法

    公开(公告)号:CN113517403A

    公开(公告)日:2021-10-19

    申请号:CN202110549395.0

    申请日:2021-07-26

    Abstract: 本发明公开了一种新型的有机PN异质结液相的生长方法,具体包括:衬底清洗、P3HT薄膜的制备、构建金属线隙生长空腔、PDIF‑CN2生长溶液的配制和注入、薄膜自行生长和冷却揭板、薄膜的形貌表征来验证异质结构和构建晶体管器件和基本的电学测试。本发明利用添加剂辅助的“金属线隙”工艺两步法构建PN异质结:先在衬底上先制备P3HT薄膜作为P型通道,然后在其边缘利用“金属线隙”工艺来堆垛N型通道PDIF‑CN2薄膜,从而实现P3HT/PDIF‑CN2异质结。在异质结的边缘AFM显示在底层的薄膜表现出极大的表面粗糙度,而在顶层薄膜表现出了原子级的平整度和分子台阶,从而获得高质量的异质结薄膜。基于制备的异质结薄膜构建了场效应晶体管器件,转移曲线表现出了典型的V型特征。

    一种新型的有机PN异质结液相的生长方法

    公开(公告)号:CN113517403B

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202110549395.0

    申请日:2021-07-26

    Abstract: 本发明公开了一种新型的有机PN异质结液相的生长方法,具体包括:衬底清洗、P3HT薄膜的制备、构建金属线隙生长空腔、PDIF‑CN2生长溶液的配制和注入、薄膜自行生长和冷却揭板、薄膜的形貌表征来验证异质结构和构建晶体管器件和基本的电学测试。本发明利用添加剂辅助的金属线隙”工艺两步法构建PN异质结:先在衬底上先制备P3HT薄膜作为P型通道,然后在其边缘利用“金属线隙”工艺来堆垛N型通道PDIF‑CN2薄膜,从而实现P3HT/PDIF‑CN2异质结。在异质结的边缘AFM显示在底层的薄膜表现出极大的表面粗糙度,而在顶层薄膜表现出了原子级的平整度和分子台阶,从而获得高质量的异质结薄膜。基于制备的异质结薄膜构建了场效应晶体管器件,转移曲线表现出了典型的V型特征。

    一种新型双台面碳化硅SACM单光子探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN113594275A

    公开(公告)日:2021-11-02

    申请号:CN202110794990.0

    申请日:2021-07-14

    Abstract: 本发明公开了一种新型双台面碳化硅SACM单光子探测器及其制备方法,该单光子探测器制备于n型SiC衬底上,采用n+/n‑/n/n‑/p结构或p+/p‑/p/p‑/n结构;所述单光子探测器从顶部至雪崩层的上表面刻蚀有小角度倾斜台面,小角度倾斜台面的底角小于10°,且小角度倾斜台面采用半台面结构;所述小角度倾斜台面的下台面至底部接触层刻蚀有垂直台面,形成深槽隔离;所述垂直台面的直径大于小角度倾斜台面下台面的直径。本发明能够提高器件填充因子和芯片利用率,优化SiC SACMAPD的有效光敏区域;通过垂直台面刻蚀实现相邻器件之间的电学隔离和光学隔离。

    一种光电探测装置行走结构

    公开(公告)号:CN215111544U

    公开(公告)日:2021-12-10

    申请号:CN202121113916.X

    申请日:2021-05-24

    Abstract: 本实用新型公开了一种光电探测装置行走结构,包括有总架,所述总架的下端安装有两组行走组件,所述总架的上端内上下活动穿过有升降柱,所述升降柱通过两端均螺纹套接紧固螺帽而固定在总架的上端,所述升降柱的中端套接有升降轮,所述总架的下端内安装有蓄电池,所述总架的上端内安装有上支撑架,所述上支撑架上安装有无线收发器,所述上支撑架内安装有电动推杆,所述电动推杆的输出端转动有升降架,所述升降架的一侧安装有第一电动机。本装置首先可进行无轨道运动,还可将本装置安装在轨道上进行有轨道运动,适用范围广,适合不同需求的客户,减小客户的建设时长,还可调节光电探测装置的探测角度和方向。

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