基于两级反射光消除网络和像素损失的反射光去除方法

    公开(公告)号:CN112634161A

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:CN202011573525.6

    申请日:2020-12-25

    Abstract: 本发明提供了一种基于两级反射光消除网络和像素损失的反射光去除方法,首先设置两级反射光消除网络中生成器的一级子网络和二级子网络;然后设定两级反射光消除网络中生成器基于像素损失的损失函数;再设定两级反射光消除网络中鉴别器的损失函数;训练两级反射光消除网络直到两级反射光消除网络参数收敛得到训练好的两级反射光消除网络;最后用训练好的两级反射光消除网络对测试数据集进行图像反射光去除,输出图像反射光去除以后的透射图。本发明克服了现有技术中容易出现色彩失真和细节损失的缺点,使得本发明对反射图像的去除效果更加明显,并且不存在色彩失真。

    一种基于两级反射光消除网络的图像反射光去除方法

    公开(公告)号:CN112598598A

    公开(公告)日:2021-04-02

    申请号:CN202011573740.6

    申请日:2020-12-25

    Abstract: 本发明提供了一种基于两级反射光消除网络的图像反射光去除方法,首先设置两级反射光消除网络中生成器的一级子网络和二级子网络;然后设定两级反射光消除网络中生成器的损失函数,由像素损失和感知损失两部分构成;再设定两级反射光消除网络中鉴别器的损失函数;训练两级反射光消除网络直到两级反射光消除网络参数收敛得到训练好的两级反射光消除网络;最后用训练好的两级反射光消除网络对测试数据集进行图像反射光去除,输出图像反射光去除以后的透射图。本发明克服了现有技术中容易出现色彩失真和细节损失的缺点,使得本发明对反射图像的去除效果更加明显,并且不存在色彩失真。

    一种新型的有机PN异质结液相的生长方法

    公开(公告)号:CN113517403B

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202110549395.0

    申请日:2021-07-26

    Abstract: 本发明公开了一种新型的有机PN异质结液相的生长方法,具体包括:衬底清洗、P3HT薄膜的制备、构建金属线隙生长空腔、PDIF‑CN2生长溶液的配制和注入、薄膜自行生长和冷却揭板、薄膜的形貌表征来验证异质结构和构建晶体管器件和基本的电学测试。本发明利用添加剂辅助的金属线隙”工艺两步法构建PN异质结:先在衬底上先制备P3HT薄膜作为P型通道,然后在其边缘利用“金属线隙”工艺来堆垛N型通道PDIF‑CN2薄膜,从而实现P3HT/PDIF‑CN2异质结。在异质结的边缘AFM显示在底层的薄膜表现出极大的表面粗糙度,而在顶层薄膜表现出了原子级的平整度和分子台阶,从而获得高质量的异质结薄膜。基于制备的异质结薄膜构建了场效应晶体管器件,转移曲线表现出了典型的V型特征。

    基于近红外三光谱成像和距离的修正能见度估计方法

    公开(公告)号:CN113533222A

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN202110884569.9

    申请日:2021-08-03

    Abstract: 本发明公开了基于近红外三光谱成像和距离的修正能见度估计方法,属于大气能见度检测技术领域,包括如下步骤:步骤一、利用近红外相机和三个近红外成像波段λ1、λ2和λ3对应的滤光片在雾天下对选定建筑物目标进行成像得到同一场景下不同波段成像的三幅近红外图像,分别为I(λ1,d)、I(λ2,d)和I(λ3,d);步骤二、推导雾天下基于近红外三光谱成像和距离的能见度估计公式,计算得到估计能见度V;步骤三、使用直线回归方程建立能见度修正公式,对后续得到的n对标准能见度Vt与估计能见度V,记作{(Vt1,V1),(Vt2,V2),...,(Vtn,Vn)},进行修正得到修正能见度Vx作为最终输出结果。本发明克服了现有技术中需要设置人工辅助黑体目标物、操作复杂的缺点,使得本发明能够直接测量雾天下能见度。

    基于特征提取和权重系数参数更新的高光谱目标跟踪方法

    公开(公告)号:CN112598069B

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202011573651.1

    申请日:2020-12-25

    Abstract: 本发明提供了一种基于特征提取和权重系数参数更新的高光谱目标跟踪方法,首先利用基于多维缩放和主成分分析的联合光谱降维方法对原始高光谱图像序列进行降维处理;然后分别提取降维处理后得到的图像序列的四对特征,将四对特征进行融合;并将融合后的特征送入核相关滤波器,得到四个基于第一到第四个特征的弱响应图;并利用权重系数对弱响应图进行加权得到强响应图;将强响应图中最大值位置作为目标的位置;并对权重系数进行更新。本发明克服了现有技术中计算量大,实时性差的缺点,使得本发明提高了复杂背景下高光谱图像序列中目标跟踪的速度,并且当目标出现形变和遮挡时有较好跟踪效果。

    一种新型双台面碳化硅SACM单光子探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN113594275A

    公开(公告)日:2021-11-02

    申请号:CN202110794990.0

    申请日:2021-07-14

    Abstract: 本发明公开了一种新型双台面碳化硅SACM单光子探测器及其制备方法,该单光子探测器制备于n型SiC衬底上,采用n+/n‑/n/n‑/p结构或p+/p‑/p/p‑/n结构;所述单光子探测器从顶部至雪崩层的上表面刻蚀有小角度倾斜台面,小角度倾斜台面的底角小于10°,且小角度倾斜台面采用半台面结构;所述小角度倾斜台面的下台面至底部接触层刻蚀有垂直台面,形成深槽隔离;所述垂直台面的直径大于小角度倾斜台面下台面的直径。本发明能够提高器件填充因子和芯片利用率,优化SiC SACMAPD的有效光敏区域;通过垂直台面刻蚀实现相邻器件之间的电学隔离和光学隔离。

    一种基于联合光谱降维和特征融合的高光谱目标跟踪方法

    公开(公告)号:CN112598711A

    公开(公告)日:2021-04-02

    申请号:CN202011573891.1

    申请日:2020-12-25

    Abstract: 本发明提供了一种基于联合光谱降维和特征融合的高光谱目标跟踪方法,首先利用基于多维缩放和主成分分析的联合光谱降维方法对原始高光谱图像序列进行降维处理;然后分别提取降维处理后得到的图像序列的四对特征,将四对特征进行融合;并将融合后的特征送入核相关滤波器,得到四个基于第一到第四个特征的弱响应图;并利用权重系数对弱响应图进行加权得到强响应图;将强响应图中最大值位置作为目标的位置;并对基样本和权重系数的参数进行自适应更新。本发明克服了现有技术中计算量大,实时性差的缺点,使得本发明提高了复杂背景下高光谱图像序列中目标跟踪的速度,并且当目标出现形变和遮挡时有较好跟踪效果。

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