公开(公告)号：CN118315470B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410414314.X

申请日：2024-04-08

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 陶治 ,  蔡玉琴 ,  蒋力耀 ,  朱永炳

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明公开电栅自卷积硫化铅量子点夹层的硒化铅薄膜光电晶体管，属于光电晶体管技术领域；光电晶体管包括基底，基底上设置有栅极，栅极上包裹有绝缘层，绝缘层上设置有有源层，有源层包括两层硒化铅薄膜以及包裹在二者之间的硫化铅量子点层；硒化铅薄膜的右端设置有源极，绝缘层和有源层之间的左端设置有漏极；栅极采用电栅形式，利用栅极电压与光电反应的关系模型与卷积神经网络模型，内部形成卷积核，用算法测试验证卷积核，利用卷积神经网络模型构建样本校正，用算法测试验证，实现对光的寻址，提高了光电晶体管的准确性；且该光电晶体管具有较好的偏振敏感和宽光谱响应特性。

公开(公告)号：CN118315922A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410414318.8

申请日：2024-04-08

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 陶治 ,  蒋力耀 ,  朱永炳 ,  蔡玉琴

IPC: H01S5/042

Abstract: 本发明公开一种多波段宽频自扫频药物分辨装置，属于半导体激光领域；一种多波段宽频自扫频药物分辨装置包括：DFB激光器控制驱动系统和激光吸收分辨系统，DFB激光器控制驱动系统发出处理后的激光穿过药液，并由激光吸收分辨系统接受分辨；所述DFB激光器控制驱动系统包括：驱动电路、射频选择输出器、光滤波模块、主控模块、电流滤波模块、监控模块以及DFB激光器组；驱动电路与DFB激光器组和射频选择输出器连接，DFB激光器组与监控模块连接，监控模块与射频选择输出器连接，射频选择输出器与光滤波模块和主控模块连接，主控模块与电流滤波模块连接；所述激光吸收分辨系统包括：依次连接的激光探测器、电流‑电压转换器、锁相放大器、AD转换模块以及主控制器，锁相放大器包括依次连接的差分放大器、解调器、低通滤波器。

公开(公告)号：CN118315470A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410414314.X

申请日：2024-04-08

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 陶治 ,  蔡玉琴 ,  蒋力耀 ,  朱永炳

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明公开电栅自卷积硫化铅量子点夹层的硒化铅薄膜光电晶体管，属于光电晶体管技术领域；光电晶体管包括基底，基底上设置有栅极，栅极上包裹有绝缘层，绝缘层上设置有有源层，有源层包括两层硒化铅薄膜以及包裹在二者之间的硫化铅量子点层；硒化铅薄膜的右端设置有源极，绝缘层和有源层之间的左端设置有漏极；栅极采用电栅形式，利用栅极电压与光电反应的关系模型与卷积神经网络模型，内部形成卷积核，用算法测试验证卷积核，利用卷积神经网络模型构建样本校正，用算法测试验证，实现对光的寻址，提高了光电晶体管的准确性；且该光电晶体管具有较好的偏振敏感和宽光谱响应特性。

公开(公告)号：CN119479986A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202510060925.3

申请日：2025-01-15

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 朱永炳 ,  蔡玉琴 ,  陶治 ,  蒋力耀 ,  沈阳 ,  张海波

IPC: G16H20/10 ,  G16H70/40 ,  G06F18/10 ,  G06F18/213 ,  G06F18/214 ,  G06F18/21 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/084 ,  G06N3/0985

Abstract: 本发明提供了一种基于一维卷积神经网络的TDLAS静脉用药浓度预测方法，包括如下步骤：获取静脉用药浓度的二次谐波数据；对静脉用药的二次谐波数据进行预处理，并划分训练集、验证集、测试集；构建基于自适应高效通道注意力模块和多级残差模块的1D‑CNN深度学习模型；将训练集与验证集输入至深度学习模型中，并设置超参数对模型进行训练得到最优参数模型；将测试集输入至训练好的最优参数检测模型中得到预测结果；本发明在1D‑CNN卷积神经网络模型中，结合自适应通道注意力模块和多级残差模块，引入自适应卷积核以及多尺度卷积结构提升特征提取能力，显著改善了模型的学习能力和泛化能力。

公开(公告)号：CN119562612A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202510001407.4

申请日：2025-01-02

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 陶治 ,  滕龙 ,  蔡玉琴 ,  蒋力耀 ,  朱永炳

IPC: H10F30/223 ,  H10F71/00 ,  H10F77/20 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G01N21/359

Abstract: 本发明公开基于近红外光敏核壳纳米线的高频探测阵面及其制备方法，属于光电晶体管技术领域；探测阵面包括栅极，栅极上端覆盖有绝缘层，绝缘层的上端两侧分别设置有源极和漏极，绝缘层上端还设置有核壳纳米线PIN结构，且位于源极和漏极之间；所述核壳纳米线PIN结构包括设置在绝缘层上端的内层ZnO纳米线，作为N型层；内层ZnO纳米线上表面设置有中间层PbSe二维纳米碎片，作为本征层；中间层PbSe二维纳米碎片的上表面覆盖有外层NiO薄膜，作为P型层。PIN结构，有助于在界面处形成有效的载流子分离和传输，从而提高器件的光电转换效率；NiO和ZnO都是稳定的半导体材料，具有良好的化学稳定性和热稳定性。

公开(公告)号：CN118231415B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410644270.X

申请日：2024-05-23

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 陶治 ,  朱永炳 ,  蔡玉琴 ,  蒋力耀

IPC: H01L27/144 ,  H01L31/101 ,  H01L31/11 ,  H01L31/18 ,  G01N21/3577 ,  G01N21/359 ,  G01N21/21

Abstract: 本发明公开一种多频响应的双极型晶体管红外偏振增益光电探测阵列，属于半导体技术领域，光电探测阵列包括衬底，衬底上端设置有多个呈阵列分布的双极型晶体管器件，所述双极型晶体管器件包括设置在衬底上端的栅电极，栅电极外侧包括有绝缘层，绝缘层上端设有发射区，发射区上引出有发射极，发射区上端设有基区，基区上引出有基极，基区上端设有集电区，集电区上引出有集电极；所述发射区和集电区采用N型半导体材料，所述基区采用P型半导体材料；通过栅电极调控BJT载流子的聚集和浓度，实现多频响应的功能，减少频率响应受到载流子迁移速度和电容效应的影响，提供更全面的频率响应能力。

公开(公告)号：CN118231415A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410644270.X

申请日：2024-05-23

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 陶治 ,  朱永炳 ,  蔡玉琴 ,  蒋力耀

IPC: H01L27/144 ,  H01L31/101 ,  H01L31/11 ,  H01L31/18 ,  G01N21/3577 ,  G01N21/359 ,  G01N21/21

Abstract: 本发明公开一种多频响应的双极型晶体管红外偏振增益光电探测阵列，属于半导体技术领域，光电探测阵列包括衬底，衬底上端设置有多个呈阵列分布的双极型晶体管器件，所述双极型晶体管器件包括设置在衬底上端的栅电极，栅电极外侧包括有绝缘层，绝缘层上端设有发射区，发射区上引出有发射极，发射区上端设有基区，基区上引出有基极，基区上端设有集电区，集电区上引出有集电极；所述发射区和集电区采用N型半导体材料，所述基区采用P型半导体材料；通过栅电极调控BJT载流子的聚集和浓度，实现多频响应的功能，减少频率响应受到载流子迁移速度和电容效应的影响，提供更全面的频率响应能力。