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公开(公告)号：CN115910812A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211423960.X
申请日：2022-11-15
Applicant: 华南农业大学
IPC: H01L21/56 , H01L23/552 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 本发明公开了一种功率模块的电磁屏蔽方法及电磁屏蔽功率模块，方法包括下述步骤：对完成功率芯片封装的功率模块进行等离子清洗；利用塑封料将功率模块的基板正面的元器件进行覆盖，形成塑封层；在塑封层上设置电磁屏蔽层，所述电磁屏蔽层包括铜层、第一不锈钢层、镍层、碳结构网格、铝层、第二不锈钢层和银层；最后在电磁屏蔽层表面进行塑封。本发明中，电磁屏蔽层由多层结构通过物理气相沉积法中的磁控溅射工艺与低温活性焊料所连接，在功率模块在不使用电磁屏蔽罩的情况下以及在无芯片表面进行贴装隔磁材料的情况下实现单个功率模块之间的电磁屏蔽。
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公开(公告)号：CN117577599A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311324814.6
申请日：2023-10-13
Applicant: 华南农业大学
IPC: H01L23/367 , B23K1/00 , B23K1/20 , B23K3/00 , B23K3/08 , H01L23/373 , H01L23/15 , H01L23/16 , H01L23/00 , H01L25/07 , H01L21/50 , H01L21/48 , C04B37/00 , B23K103/00
Abstract: 本发明公开一种双面散热的SiC MOSFET封装结构及其热沉与陶瓷基板的连接方法，结构包括：上层热沉、上层热沉焊接层、上层陶瓷基板、支撑钼垫片上焊接层、支撑钼垫片、支撑钼垫片下焊接层、芯片钼垫片上焊接层、芯片钼垫片、芯片钼垫片下焊接层、SiC芯片、芯片焊接层、下层陶瓷基板、下层热沉焊接层和下层热沉，所述上层陶瓷基板下面设置芯片钼垫片和SiC芯片，上层陶瓷基板通过芯片钼垫片上焊接层和芯片钼垫片一侧连接，芯片钼垫片另一侧通过芯片钼垫片下焊接层和SiC芯片连接，SiC芯片的端子通过芯片焊接层连接到下层陶瓷基板上。本发明提高SiC MOSFET封装结构的散热效率和实现高导热粘接互联，满足功率器件更高的可靠性和更长的使用寿命的需求。
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公开(公告)号：CN117408813A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311452922.1
申请日：2023-11-03
Applicant: 华南农业大学
Abstract: 本发明公开了一种微电网交易用智能合约执行方法，利用改进的快速应答智能合约执行协议通过对节点分类、设计押金系统来优化执行过程，包括：步骤S1，通过改进的快速应答智能合约执行协议将节点的角色分为发起节点、可信节点和参与节点；步骤S2，设计押金系统，每个发起节点向可信节点提交押金，并拥有一个安全时限，参与节点向可信节点提交惩罚押金；步骤S3，发起节点承担智能合约的输入输出数据，参与节点向发起节点发送智能合约所需的输入数据，并通过发起节点将输入数据发送给可信节点；步骤S4，在可信节点上，智能合约运行完毕后，输出结果通过发起节点分发给各个参与节点。更好地满足微电网的高扩展性交易需求，并实现智能合约的高效扩展。
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公开(公告)号：CN115170256A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210723148.2
申请日：2022-06-24
Applicant: 华南农业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于区块链和边缘计算的微电网电力交易方法、系统、设备及存储介质，方法包括：利用边缘计算设备采集电力数据，并将电力数据传输到边缘计算节点，边缘计算节点处理接收到的电力数据得出实际生产电量，确定是否可进行电力交易；当接收到购电方的购电请求和售电方的售电请求后，采用改进的连续双边拍卖机制进行交易匹配，若匹配成功，则购电方和售电方签订智能合约；交易达成后，采用改进的DPoS‑PBFT共识算法选出主节点打包交易，各节点达成共识后写入区块并上链；购电方、售电方查看交易结果，并确认是否接受交易结果。本发明从数据处理、交易匹配、共识算法等三个方面进行优化来提升系统性能，保证系统的安全，高效。
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