公开(公告)号：CN105483654A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201610044372.3

申请日：2016-01-22

Applicant: 华北电力大学(保定)

Inventor： 徐艳梅 ,  张贵银 ,  王永杰 ,  赵占龙

IPC: C23C16/515 ,  C23C16/24

CPC classification number: C23C16/515 ,  C23C16/24

Abstract: 本发明提供一种用于生成纳米晶硅薄膜的装置，所述装置包括射频阴极、匹配网络、射频源、进气口、排气口、样品、下电极、绝缘支柱、热电偶测温测加热系统、脉冲偏压源、腔体、废气处理系统、总流量控制器、分子泵和机械泵。其中，腔体为金属反应腔，射频阴极、样品、下电极以及绝缘支柱设置在腔体内。进气口和出气口设置在腔体上。射频阴极与下电极相对设置，二者之间形成等离子放电区，所述样品置于等离子放电区内，脉冲偏压源为下电极提供偏压，输出电压为60-200V。本发明的用于生成纳米晶硅薄膜的装置，具有结构简单，易于操控，生长的纳米晶硅薄膜质量优良的特点。

公开(公告)号：CN105568250A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201610048208.X

申请日：2016-01-22

Applicant: 华北电力大学(保定)

Inventor： 徐艳梅 ,  张贵银 ,  王永杰 ,  赵占龙

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/02 ,  C23C16/513

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/02 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/513

Abstract: 本发明提供一种PECVD沉积氢化纳米晶硅薄膜的制备方法，所述方法包括：样品制备步骤、样品准备步骤、抽真空步骤、通气步骤、射频发生步骤、加偏压步骤和生长步骤等。本发明通过调节脉冲偏压参数来控制纳米晶硅成核，降低了纳米晶硅薄膜中的缺陷态，形成了一种高晶化度低缺陷态的镶嵌纳米晶硅的氢化纳米晶硅薄膜。

公开(公告)号：CN105679652A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610044708.6

申请日：2016-01-22

Applicant: 华北电力大学(保定)

Inventor： 徐艳梅 ,  张贵银 ,  赵占龙 ,  王永杰

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L29/423 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/401 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/42364

Abstract: 本发明提供一种制备nc-Si/SiOx薄膜MIS结构器件的方法，所述方法包括：样品制备步骤、样品准备步骤、抽真空步骤、通气步骤、射频发生步骤、加偏压步骤、薄膜生长步骤等。本发明通过加衬底负偏压控制等离子体的能量和离子流密度，增大了N2O分解的氧离子和Si结合速率同时抑制了氮粒子和Si的结合，避免和衬底上的硅活性基团生成Si-N键，减少膜中载流子陷阱的形成，从而提高薄膜的载流子输运效率。