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公开(公告)号：CN105568250A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610048208.X
申请日：2016-01-22
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: C23C16/24 , C23C16/02 , C23C16/513
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/02 , C23C16/0227 , C23C16/513
Abstract: 本发明提供一种PECVD沉积氢化纳米晶硅薄膜的制备方法，所述方法包括：样品制备步骤、样品准备步骤、抽真空步骤、通气步骤、射频发生步骤、加偏压步骤和生长步骤等。本发明通过调节脉冲偏压参数来控制纳米晶硅成核，降低了纳米晶硅薄膜中的缺陷态，形成了一种高晶化度低缺陷态的镶嵌纳米晶硅的氢化纳米晶硅薄膜。
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公开(公告)号：CN105554994B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201610105494.9
申请日：2016-02-26
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: H05H1/30
Abstract: 本发明提供了一种无缝接触透明电极产生等离子体射流的装置及方法。本发明所提供的装置包括两个相对设置的水槽、石英玻璃管和等离子体发生电源；所述石英玻璃管垂直穿过两个所述水槽的侧面；所述水槽由透明绝缘材料制成，在两个所述水槽内分别盛有用作电极的液体水，两个水槽内的液面可使穿过所述水槽内部的石英玻璃管完全浸没；在所述石英玻璃管内通有放电气体；所述等离子体发生电源的正负极分别与两个水槽内的液体水电连接。本发明所提供的装置，可克服现有等离子体射流装置存在的技术缺陷，实现电极与石英玻璃管外壁的无缝接触，提高了反应效率；并且可实现对等离子体发光信号的全方位测量。
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公开(公告)号：CN105554994A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610105494.9
申请日：2016-02-26
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: H05H1/30
CPC classification number: H05H1/30
Abstract: 本发明提供了一种无缝接触透明电极产生等离子体射流的装置及方法。本发明所提供的装置包括两个相对设置的水槽、石英玻璃管和等离子体发生电源；所述石英玻璃管垂直穿过两个所述水槽的侧面；所述水槽由透明绝缘材料制成，在两个所述水槽内分别盛有用作电极的液体水，两个水槽内的液面可使穿过所述水槽内部的石英玻璃管完全浸没；在所述石英玻璃管内通有放电气体；所述等离子体发生电源的正负极分别与两个水槽内的液体水电连接。本发明所提供的装置，可克服现有等离子体射流装置存在的技术缺陷，实现电极与石英玻璃管外壁的无缝接触，提高了反应效率；并且可实现对等离子体发光信号的全方位测量。
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公开(公告)号：CN105483654A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201610044372.3
申请日：2016-01-22
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: C23C16/515 , C23C16/24
CPC classification number: C23C16/515 , C23C16/24
Abstract: 本发明提供一种用于生成纳米晶硅薄膜的装置，所述装置包括射频阴极、匹配网络、射频源、进气口、排气口、样品、下电极、绝缘支柱、热电偶测温测加热系统、脉冲偏压源、腔体、废气处理系统、总流量控制器、分子泵和机械泵。其中，腔体为金属反应腔，射频阴极、样品、下电极以及绝缘支柱设置在腔体内。进气口和出气口设置在腔体上。射频阴极与下电极相对设置，二者之间形成等离子放电区，所述样品置于等离子放电区内，脉冲偏压源为下电极提供偏压，输出电压为60-200V。本发明的用于生成纳米晶硅薄膜的装置，具有结构简单，易于操控，生长的纳米晶硅薄膜质量优良的特点。
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公开(公告)号：CN106842372A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710027418.5
申请日：2017-01-09
Applicant: 华北电力大学(保定)
CPC classification number: G02B1/005 , H05H1/2406
Abstract: 本发明公开了一种生产稳定的等离子体光子晶体的装置，包括真空腔室，真空腔室内设置有两个介质容器，介质容器内充有液体电极，介质容器内设置有放电电极，两个介质容器之间设置有放电间隙，真空腔室上设置有进气管和出气管，所述放电间隙外侧设置有外套管，外套管内设置有加热器，外套管上设置有若干个贯穿外套管的通气孔。本发明还公开了一种生产稳定的等离子体光子晶体的装置的生产方法。本发明能够改进现有技术的不足，提高了等离子体光子晶体的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106732381A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611005334.3
申请日：2016-11-11
Applicant: 华北电力大学(保定)
Abstract: 本发明公开了一种PM2.5吸附剂的制备方法，包括以下步骤：A、将聚对苯二甲酸乙二酯、三氯三聚氰胺、硫代二丙酸双十八醇酯、叔丁基二乙醇胺进行加热混熔，然后将混合原料进行喷丝；B、将步骤A中制得的纤维丝放入预处理液中进行浸泡；C、将在预处理液中浸泡过的纤维丝取出，加热风干；D、将风干后的纤维丝、活性炭颗粒放入吸附液中充分混合，然后对吸附液中覆盖有纤维丝的活性炭颗粒进行过滤；E、对过滤出的活性炭颗粒进行加热；F、将步骤E中处理过的活性炭颗粒进行封装，得到吸附剂成品。本发明可以解决现有技术的不足，提高了对于PM2.5的吸附效率。
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公开(公告)号：CN105679652A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610044708.6
申请日：2016-01-22
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: H01L21/02 , H01L21/285 , H01L29/423 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L29/401 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L29/42364
Abstract: 本发明提供一种制备nc-Si/SiOx薄膜MIS结构器件的方法，所述方法包括：样品制备步骤、样品准备步骤、抽真空步骤、通气步骤、射频发生步骤、加偏压步骤、薄膜生长步骤等。本发明通过加衬底负偏压控制等离子体的能量和离子流密度，增大了N2O分解的氧离子和Si结合速率同时抑制了氮粒子和Si的结合，避免和衬底上的硅活性基团生成Si-N键，减少膜中载流子陷阱的形成，从而提高薄膜的载流子输运效率。
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公开(公告)号：CN106732381B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201611005334.3
申请日：2016-11-11
Applicant: 华北电力大学(保定)
Abstract: 本发明公开了一种PM2.5吸附剂的制备方法，包括以下步骤：A、将聚对苯二甲酸乙二酯、三氯三聚氰胺、硫代二丙酸双十八醇酯、叔丁基二乙醇胺进行加热混熔，然后将混合原料进行喷丝；B、将步骤A中制得的纤维丝放入预处理液中进行浸泡；C、将在预处理液中浸泡过的纤维丝取出，加热风干；D、将风干后的纤维丝、活性炭颗粒放入吸附液中充分混合，然后对吸附液中覆盖有纤维丝的活性炭颗粒进行过滤；E、对过滤出的活性炭颗粒进行加热；F、将步骤E中处理过的活性炭颗粒进行封装，得到吸附剂成品。本发明可以解决现有技术的不足，提高了对于PM2.5的吸附效率。
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公开(公告)号：CN106842372B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201710027418.5
申请日：2017-01-09
Applicant: 华北电力大学(保定)
Abstract: 本发明公开了一种生产稳定的等离子体光子晶体的装置，包括真空腔室，真空腔室内设置有两个介质容器，介质容器内充有液体电极，介质容器内设置有放电电极，两个介质容器之间设置有放电间隙，真空腔室上设置有进气管和出气管，所述放电间隙外侧设置有外套管，外套管内设置有加热器，外套管上设置有若干个贯穿外套管的通气孔。本发明还公开了一种生产稳定的等离子体光子晶体的装置的生产方法。本发明能够改进现有技术的不足，提高了等离子体光子晶体的稳定性。
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